[发明专利]一种化学机械抛光后清洗液的制备方法有效
申请号: | 202110488661.3 | 申请日: | 2021-04-27 |
公开(公告)号: | CN113215584B | 公开(公告)日: | 2023-02-03 |
发明(设计)人: | 王溯;马丽;史筱超;何加华;李健华;王真 | 申请(专利权)人: | 上海新阳半导体材料股份有限公司 |
主分类号: | C07D471/04 | 分类号: | C07D471/04 |
代理公司: | 上海弼兴律师事务所 31283 | 代理人: | 王卫彬;陈卓 |
地址: | 201616 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 化学 机械抛光 清洗 制备 方法 | ||
1.一种清洗液的制备方法,其特征在于,其包括如下步骤:将原料混合,即可;其中,所述原料包括下列质量分数的组分:0.01%-25%强碱、0.01%-30%醇胺、0.001%-1%抗氧化物、0.025%-0.05%如式A所示的铜络合物、0.01%-10%缓蚀剂、0.01%-10%螯合剂、0.01%-5%表面活性剂和14%-75%水,各组分质量分数之和为100%;
所述醇胺为单乙醇胺;
所述抗氧化剂为抗坏血酸;
所述缓蚀剂为2-巯基苯并噻唑;
所述螯合剂为丙二酸;
所述表面活性剂为十二烷基苯磺酸;
所述强碱选自季铵碱和/或胍类化合物;所述季铵碱为四烷基季铵碱;
所述胍类化合物为四甲基胍;
所述四烷基季铵碱为四甲基氢氧化铵和/或四丙基氢氧化铵;
2.如权利要求1所述清洗液的制备方法,其特征在于,所述水为纯水;
和/或,所述强碱的质量分数为1%-20%;
和/或,所述醇胺的质量分数为1%-10%;
和/或,所述抗氧化物的质量分数为0.002%-0.1%;
和/或,所述缓蚀剂的质量分数为0.1%-1%;
和/或,所述螯合剂的质量分数为0.1%-1%;
和/或,所述表面活性剂的质量分数为0.1%-1%。
3.如权利要求2所述清洗液的制备方法,其特征在于,所述水选自去离子水、蒸馏水和超纯水中的一种或多种;
和/或,所述强碱的质量分数为5-15%;
和/或,所述醇胺的质量分数为5%-8%;
和/或,所述抗氧化物的质量分数为0.005%-0.01%;
和/或,所述如式A所示的铜络合物的质量分数为0.025%-0.03%;
和/或,所述缓蚀剂的质量分数为0.5%-0.8%;
和/或,所述螯合剂的质量分数为0.3%-0.9%;
和/或,所述表面活性剂的质量分数为0.2%-0.7%。
4.如权利要求1所述清洗液的制备方法,其特征在于,所述强碱的质量分数为20%、15%、5%或10%;
和/或,所述醇胺的质量分数为8%;
和/或,所述抗氧化物的质量分数为0.01%;
和/或,所述如式A所示的铜络合物的质量分数为0.025%或0.05%;
和/或,所述缓蚀剂的质量分数为0.8%;
和/或,所述螯合剂的质量分数为0.9%;
和/或,所述表面活性剂的质量分数为0.7%。
5.如权利要求1所述清洗液的制备方法,其特征在于,所述清洗液的原料选自以下任意一种方案:
所述清洗液的原料由下列质量分数的组分组成:15%四甲基氢氧化铵、8%单乙醇胺、0.01%抗坏血酸、0.025%如式A所示的铜络合物、0.8%2-巯基苯并噻唑、0.9%丙二酸、0.7%十二烷基苯磺酸,水补足余量,各组分质量分数之和为100%;
所述清洗液的原料由下列质量分数的组分组成:15%四甲基氢氧化铵、8%单乙醇胺、0.01%抗坏血酸、0.05%如式A所示的铜络合物、0.8%2-巯基苯并噻唑、0.9%丙二酸、0.7%十二烷基苯磺酸,水补足余量,各组分质量分数之和为100%;
所述清洗液的原料由下列质量分数的组分组成:5%四丙基氢氧化铵、8%单乙醇胺、0.01%抗坏血酸、0.025%如式A所示的铜络合物、0.8%2-巯基苯并噻唑、0.9%丙二酸、0.7%十二烷基苯磺酸,水补足余量,各组分质量分数之和为100%;
所述清洗液的原料由下列质量分数的组分组成:15%四甲基胍、8%单乙醇胺、0.01%抗坏血酸、0.025%如式A所示的铜络合物、0.8%2-巯基苯并噻唑、0.9%丙二酸、0.7%十二烷基苯磺酸,水补足余量,各组分质量分数之和为100%。
6.如权利要求1-5任一项所述清洗液的制备方法,其特征在于,所述制备方法还进一步包含振荡和/或过滤;
和/或,所述清洗液为用于化学机械抛光后半导体器件的清洗液。
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