[发明专利]非金属吸收渐变薄膜的制备方法、具膜器件和电子产品

说明书

本申请提供一种非金属吸收渐变薄膜的制备方法、具膜器件和电子产品。非金属吸收渐变薄膜的制备方法，包括：根据目标图样设计膜系组成和镀膜挡板组成，然后在基材上进行镀膜；所述膜系组成包括依次叠置于基材上的单晶硅层、氮化硅层和二氧化硅层。具膜器件，使用所述的制备方法在所述基材上制备得到。电子产品，包括所述的具膜器件。本申请提供的非金属吸收渐变薄膜的制备方法，可以得到符合要求的黄白渐变色薄膜，同时能够满足手机对薄膜电阻值的要求。

技术领域

本申请涉及电子产品后盖技术领域，尤其涉及一种非金属吸收渐变薄膜的制备方法、具膜器件和电子产品。

背景技术

随着5G时代的到来，智能手机、智能手表等电子产品的广泛普及，消费者对电子产品的要求不仅仅局限于性能、寿命，对视觉效果及外观的要求也越来越高，目前非金属材质的手机后盖已成为多数消费电子产品厂商中高端机型所追求的设计方向之一，采用非金属材料制备符合外观要求的手机后盖薄膜也是研究热点之一。仅采用传统的丝印、或者金属镀膜技术在陶瓷、玻璃或者宝石表面形成的外观效果、抗划伤性等已不能满足其信赖性要求，易对消费者造成审美疲劳的困扰，而且其电阻值也往往不能满足实际需求。

因此，具有强抗划伤性、高附着力、满足各严苛性能测试、赏心悦目令人心情愉悦的非金属吸收渐变薄膜制备工艺具有很大的应用价值。

有鉴于此，特提出本申请。

发明内容

本申请的目的在于提供一种非金属吸收渐变薄膜的制备方法、具膜器件和电子产品，以解决上述问题。

为实现以上目的，本申请特采用以下技术方案：

一种非金属吸收渐变薄膜的制备方法，包括：

根据目标图样设计膜系组成和镀膜挡板组成，然后在基材上进行镀膜；

所述膜系组成包括依次叠置于基材上的单晶硅层、氮化硅层和二氧化硅层。

优选地，所述单晶硅层的厚度为10.2-14.66nm，所述氮化硅层的厚度为13.81-19.85nm，所述二氧化硅层的厚度为52.43-75.37nm。

各个膜层的厚度均大于10nm，不存在薄层结构，薄膜稳定性好。

可选地，所述单晶硅层的厚度可以为10.2nm、11nm、12nm、13nm、14nm、14.66nm以及10.2-14.66nm之间的任一值，所述氮化硅层的厚度可以为13.81nm、14nm、15nm、16nm、17nm、18nm、19nm、19.85nm以及13.81-19.85nm之间的任一值，所述二氧化硅层的厚度可以为52.43nm、55nm、60nm、65nm、70nm、75nm、75.37nm以及52.43-75.37nm之间的任一值。

优选地，所述渐变薄膜的厚度为76.44-109.88nm。

膜层可波动范围大，颜色越不敏感，颜色越稳定，批量生产维护更容易，更适合批量生产。因此，此膜系结构不仅满足对颜色外观的需求，还集总膜厚较薄(一般总膜厚不大于300nm的膜系)、无电阻NG风险、颜色稳定于一身。

可选地，所述渐变薄膜的厚度可以为76.44nm、80nm、90nm、100nm、109.88nm以及76.44-109.88nm之间的任一值。

优选地，镀膜时，所述单晶硅层的镀膜速率为0.03-0.08nm/s，所述氮化硅层的镀膜速率为0.13-0.25nm/s，所述二氧化硅层的镀膜速率为0.08-0.24nm/s。

镀膜速率的控制，有利于提升膜层的稳定性，并使得色彩的渐变更加自然。