[发明专利]基于导电氧化物DBR的氮化物垂直腔面发射激光器的制作方法

权利要求书

1.一种基于导电氧化物DBR的氮化物垂直腔面发射激光器，其特征在于，其包括依序层叠设置的支撑基板、第一反射镜、电流限制层、p型层、有源区、n型层、第二反射镜以及n电极；

其中，

所述的第一反射镜由p型导电性氧化物DBR构成；

所述的第二反射镜由n型导电性氧化物DBR构成。

2.如权利要求1所述的基于导电氧化物DBR的氮化物垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述第一反射镜为具有p型导电性的氧化镍、氧化铜或氧化亚铜中的任意两种交叉排布构成；

所述第二反射镜为具有n型导电性的氧化锌、氧化镉或氧化镓中的任意两种交叉排布构成。

3.如权利要求2所述的基于导电氧化物DBR的氮化物垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述第一反射镜的交叉排布对数为10～20对；

所述第二反射镜的交叉排布对数为5～10对；

所述的第一反射镜和/或第二反射镜为正方形或圆形。

4.如权利要求1所述的基于导电氧化物DBR的氮化物垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述支撑基板为金属导电材料或非金属导电材料制成。

5.如权利要求4所述的基于导电氧化物DBR的氮化物垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述支撑基板为高热导率材料制成。

6.如权利要求1所述的基于导电氧化物DBR的氮化物垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述的电流限制层为SiO₂、AlN或Al₂O₃制成；

所述的n电极为Cr、Au、Ni、Au、Ti、Au中的一种以上层叠制成。

7.基于导电氧化物DBR的氮化物垂直腔面发射激光器的制作方法，其特征在于，其包括如下步骤：

S1、在原始衬底上生长PiN结构的半导体外延层；

S2、对半导体外延层表面进行刻蚀出预设区域以用于沉积电流限制层；

S3、在刻蚀形成的预设区域上进行沉积电流限制层；

S4、在沉积有电流限制层的半导体外延层上层叠制备第一反射镜；

S5、在第一反射镜上层叠制备兼做第一电极的支撑基板，同时使其覆盖第一反射镜远离半导体外延层的表面，获得第一坯体；

S6、将第一坯体倒置，去除原始衬底；

S7、在第一坯体上依序层叠制备第二反射镜和第二电极，完成激光器的制备。

8.如权利要求7所述的基于导电氧化物DBR的氮化物垂直腔面发射激光器的制作方法，其特征在于，步骤S1中，采用MOCVD或者MBE方式生长PiN结构的半导体外延层。

9.如权利要求8所述的基于导电氧化物DBR的氮化物垂直腔面发射激光器的制作方法，其特征在于，所述的半导体外延层包括依序层叠的n型层、有源区和p型层；

所述的第一反射镜由p型导电性氧化物DBR构成；

所述的第二反射镜由n型导电性氧化物DBR构成。

10.如权利要求7所述的基于导电氧化物DBR的氮化物垂直腔面发射激光器的制作方法，其特征在于，步骤S5中，支撑基板为金属导电材料或非金属导电材料，该支撑基板通过电镀或者金属键合的方式制取。