[发明专利]一种CdSe量子点及其光致发光调控方法与应用

权利要求书

1.一种CdSe量子点光致发光调控方法，其特征在于，将CdSe量子点水溶液分散于含有氨基的化合物的水溶液中，促进量子点光物理性质改变，实现量子点发光性能调控，即通过调控氨基在量子点表面的作用直接调节双峰发射量子点带边发射峰和缺陷发射峰强度的比例，从而使量子点的荧光呈现不同的颜色；所述含有氨基的化合物为含有氨基的胺类化合物；

所述CdSe量子点由巯基乙酸、巯基丙酸或十一巯基十一酸钝化；

调节CdSe浓度大于等于0.01 mg/mL，所述CdSe量子点溶液的光致发光可随CdSe浓度变化而变化，CdSe的带边峰与缺陷峰的强度比例随CdSe浓度调节；

调节含有氨基的化合物包裹的CdSe量子点溶液的含有氨基的化合物浓度大于等于0.01 mg/mL，所述CdSe量子点溶液的光致发光随含有氨基的化合物浓度变化而变化，CdSe的带边峰与缺陷峰的强度比例随胺类化合物浓度调节；

以酸碱溶液调节CdSe量子点溶液pH，所述溶液的光致发光可随pH变化而变化，CdSe的带边峰与缺陷峰的强度比例可随溶液pH调节。

2.如权利要求1所述的CdSe量子点光致发光调控方法，其特征在于，所述胺类化合物为脂肪胺、季铵盐和高分子胺类中的至少一种。

3.如权利要求2所述的CdSe量子点光致发光调控方法，其特征在于，所述脂肪胺为甲胺、乙胺、丁胺或苄胺；所述季铵盐为甲氨盐酸盐、乙胺盐酸盐、甲胺硫酸盐或乙胺硫酸盐酸；所述高分子胺类为聚乙烯亚胺、聚酰胺胺、聚醚胺或聚酰胺。

4.如权利要求1所述的CdSe量子点光致发光调控方法，其特征在于，将CdSe量子点分散于含有氨基的化合物的溶液中后，体系的pH为5-12。

5.如权利要求1所述的CdSe量子点光致发光调控方法，其特征在于，所述CdSe量子点粒径为1 nm-5 nm，能同时显示带边发射和带内缺陷发射。

6.如权利要求1-5任一所述方法制备得到的CdSe量子点。

7.如权利要求6所述的CdSe量子点在光致发光器件中的应用。

8.如权利要求7所述的应用，其特征在于，所述应用具体为将CdSe量子点浓缩后涂覆在LED灯面，得到负载CdSe量子点的LED。

9.如权利要求8所述的应用，其特征在于，所述浓缩方法为减压旋蒸或冷冻冻干。

10.一种光致发光器件，其特征在于，所述光致发光器件的发光层包括权利要求6所述的CdSe量子点。

11.如权利要求10所述的光致发光器件，其特征在于，所述光致发光器件的光源为发射波长为400 nm-500 nm的发光二极管。

12.如权利要求6所述的CdSe量子点在电致发光器件中的应用。

13.如权利要求12所述的应用，其特征在于，所述应用具体为将CdSe量子点滴加在电致发光器件上后再烘干，并进行多次，使CdSe量子点在电致发光器件上富集。

14.一种电致发光器件，其特征在于，所述电致发光器件的发光层包括权利要求6所述的CdSe量子点。