[发明专利]一种电容传感器及其制作方法

权利要求书

1.一种电容传感器，其特征在于，包括多个并排设置的像素单元，所述像素单元包括硅衬底、结构层和钝化层；

所述结构层设置于所述硅衬底的上表面，所述结构层包括顶层金属层和介质层；所述顶层金属层用于承担所述电容传感器的极板的作用；

所述介质层设置于所述顶层金属层的下方，所述钝化层设置于所述结构层的上表面；

所述顶层金属层设置一个或多个通孔，所述通孔为圆形；

所述钝化层设置一个或多个凹槽，所述凹槽的对称轴与所述通孔的对称轴重合。

2.根据权利要求1所述的电容传感器，其特征在于，所述通孔的上开口为圆形；所述通孔的下开口为圆形；所述通孔的上开口的直径大于2μm。

3.根据权利要求2所述的电容传感器，其特征在于，所述顶层金属层设置一个所述通孔；所述通孔的上开口的直径不小于7.5μm、并且不大于9.5μm，所述通孔的边缘与所述顶层金属层的边缘之间的最远距离小于或者等于35μm。

4.根据权利要求3所述的电容传感器，其特征在于，所述通孔的中心与所述顶层金属层的中心的距离不大于6.9μm。

5.根据权利要求4所述的电容传感器，其特征在于，所述通孔的中心与所述顶层金属层的中心的距离为6.7μm。

6.根据权利要求4所述的电容传感器，其特征在于，所述通孔设置于所述顶层金属层的中心位置。

7.根据权利要求6所述的电容传感器，其特征在于，所述通孔的上开口的直径为7.9μm；所述通孔的下开口的直径为7.5μm。

8.根据权利要求1所述的电容传感器，其特征在于，所述顶层金属层设置四个所述通孔，所述四个通孔到所述顶层金属层的中心的距离相等，所述通孔的上开口的直径为4.5μm。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的电容传感器，其特征在于，还包括电容检测电路，所述电容检测电路设置在所述顶层金属层的下方，所述通孔设置在所述电容检测电路的非正上方的位置。

10.根据权利要求1至8中任一项所述的电容传感器，其特征在于，所述凹槽设置在所述通孔的正上方，所述凹槽上开口的面积大于所述凹槽的底面的面积。

11.根据权利要求1至8中任一项所述的电容传感器，其特征在于，所述凹槽设置在所述通孔的内部，所述凹槽上开口的面积大于所述凹槽的底面的面积。

12.根据权利要求1至8中任一项所述的电容传感器，其特征在于，所述凹槽为U型凹槽或者圆台型凹槽，所述圆台型凹槽的上底面的面积大于所述圆台型凹槽的下底面的面积。

13.根据权利要求1至8中任一项所述的电容传感器，其特征在于，所述凹槽的侧面形成的斜坡的角度随着水平高度的增加而减小。

14.根据权利要求1至8中任一项所述的电容传感器，其特征在于，所述凹槽的下底面与所述凹槽的侧面形成一钝角。

15.根据权利要求1至8中任一项所述的电容传感器，其特征在于，所述凹槽的下底面与所述凹槽的侧面形成的角度大于或者等于100度。

16.根据权利要求1至8中任一项所述的电容传感器，其特征在于，所述凹槽的下底面与所述凹槽的侧面形成的角度等于145度。

17.根据权利要求1至8中任一项所述的电容传感器，其特征在于，所述通孔为圆柱型通孔或者圆台型通孔；

所述圆台型通孔的上底面的面积大于所述圆台型通孔的下底面的面积；

所述圆台型通孔的侧面的倾斜角为85度。