[发明专利]一种磁场调制薄膜光伏效应的方法

权利要求书

1.一种磁场调制薄膜光伏效应的方法，其特征在于：测试方法包括以下步骤：

步骤1，将光伏电池放置在一磁体放置装置的上端面的样品池内，磁体放置装置内可替换放置有磁体，磁体与磁体放置装置的上端面的垂直距离可调，

步骤2，将半导体参数测量仪放置在不受磁体磁场影响的位置，再将光伏电池的顶电极和底电极分别与半导体参数测量仪的引出线连接，

步骤3，磁体放置装置内先不放置磁体，测量获取零磁场下光伏电池薄膜的光、暗I-V特性曲线；

步骤4，将磁体置入磁体放置装置并使磁体距离光伏电池的距离最大，

步骤5，利用高斯计标定光伏电池所在位置的磁场大小与方向，并利用游标卡尺标定对应磁体的高度和方向；

步骤6，保持磁体方向不变逐步提升磁体高度至所能提供最大磁场，分别测试不同磁场大小下的薄膜I-V特性曲线，

步骤7，保持磁体方向不变逐步降低磁体高度使磁场线性减小至0，分别测试不同磁场大小下的薄膜I-V特性曲线，

步骤8，将磁体翻转180°使其提供磁场方向相反，再次将磁体置入衬盘，并重复步骤6和7得到最终测量结果。

2.根据权利要求1所述的一种磁场调制薄膜光伏效应的方法，其特征在于：磁场大小在0~Hmax范围内可调，Hmax是磁体在距离磁体1cm处的磁场强度，Hmax的大小通过替换磁体材料或增减磁体个数来调节，且磁体变位器磁场大小在可调范围内的设置磁场强度是连续的。

3.根据权利要求1所述的一种磁场调制薄膜光伏效应的方法，其特征在于：半导体参数测量仪不受磁体磁场影响的位置为磁体在两条铜导线的远端产生的磁场强度H＜1Oe的位置，磁场不影响半导体参数分析仪的探针的位置。

4.根据权利要求1所述的一种磁场调制薄膜光伏效应的方法，其特征在于：磁场角度在0~45°范围内可调，且磁场角度在可调范围内的设置角度是连续的。

5.根据权利要求1所述的一种磁场调制薄膜光伏效应的方法，其特征在于：磁体放置装置包括磁体变位器、自由样品台、磁体-分析仪分离模块，磁体变位器包括磁体空间架、磁体、塑料衬盘、第一铜丝和第二铜丝，

自由样品台放置于磁体空间架的上表面，磁体空间架两侧内分别具有竖直设置的通道，塑料衬盘设于磁体空间架的两侧之间，磁体置于塑料衬盘上，磁体空间架对应塑料衬盘上方转动设有第一旋转铜杆和第二旋转铜杆，第一铜丝的一端固定于第一旋转铜杆上，第一铜丝的另一端绕过塑料衬盘的一侧底部后固定于第一旋转铜杆上，第二铜丝的一端固定于第二旋转铜杆上，第二铜丝的另一端绕过塑料衬盘的另一侧底部后固定于第二旋转铜杆上，第一旋转铜杆和第二旋转铜杆两端均穿过磁体空间架的侧面，

自由样品台包括多孔板、玛瑙球、第一铟电极和第二铟电极，多孔板置于磁体空间架上，多孔板上表面设有至少3个圆孔，其中两个圆孔分别用于设置第一铟电极与第二铟电极；玛瑙球放置于其他任一圆孔内，并与第一铟电极和第二铟电极的位置形成三角形阵列；样品放置于该三角形阵列形成的平面并平行于多孔板设置，样品与第一铟电极、第二铟电极充分接触，玛瑙球通过改变在多孔板上孔洞的位置，来平衡样品；

特斯拉计的测试探针与样品的上表面，特斯拉计用于检测样品处磁场强度；

所述磁体-分析仪分离模块包括两条导线，第一铟电极与第二铟电极各自对应连接一条导线的一端，两条导线的另一端分别穿过磁体空间架对应侧面内的通道并从磁体空间架底部的孔洞向外侧水平延伸L长度的距离，磁体在两条导线的另一端的末端产生的磁场强度H＜1Oe，两条导线的另一端分别接入半导体参数分析仪。