[发明专利]转移头、转移装置和转移方法在审
申请号: | 202110482818.1 | 申请日: | 2021-04-30 |
公开(公告)号: | CN113206034A | 公开(公告)日: | 2021-08-03 |
发明(设计)人: | 宋玉华;董小彪;韩赛赛;王岩;姚志博 | 申请(专利权)人: | 成都辰显光电有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/67 |
代理公司: | 北京远智汇知识产权代理有限公司 11659 | 代理人: | 范坤坤 |
地址: | 611731 四*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 转移 装置 方法 | ||
本发明实施例公开了一种转移头、转移装置和转移方法。所述转移头包括:衬底;多个转移部,所述转移部位于所述衬底上;所述转移部包括远离所述衬底一侧的转移结合面,所述转移结合面用于与所述芯片粘合;其中,所述转移结合面与所述芯片的结合力可调。与现有技术相比,本发明实施例能够同时满足芯片拾取和释放对转移头的不同需求,提升了转移头的转移能力。
技术领域
本发明实施例涉及显示技术领域,尤其涉及一种转移头、转移装置和转移方法。
背景技术
随着显示技术的发展,显示方式由阴极射线显像管(Cathode Ray Tube,CRT)、液晶显示(Liquid Crystal Display)、有机发光二极管显示(Organic Light-EmittingDiode,OLED)逐渐发展至微发光二极管显示(Micro Light Emitting Diode,Micro LED)。
其中,Micro-LED显示技术具有高亮度、高响应速度、低功耗和长寿命等优点,成为新一代显示技术的研究热点。在制备Micro-LED显示面板的工艺中,常用的技术有巨量转移技术,具体采用转移头对Micro-LED芯片进行拾取和释放。然而,现有的转移头的转移能力较差,无法同时满足芯片拾取和释放的需求,从而使得巨量转移的良率较低。
发明内容
本发明实施例提供一种转移头、转移装置和转移方法,以同时满足芯片拾取和释放对结合力的不同需求,提升转移头的转移能力。
为实现上述技术目的,本发明实施例提供了如下技术方案:
一种转移头,所述转移头用于对芯片进行转移,所述转移头包括:
衬底;
多个转移部,所述转移部位于所述衬底上;所述转移部包括远离所述衬底一侧的转移结合面,所述转移结合面用于与所述芯片粘合;其中,所述转移结合面与所述芯片的结合力可调。
可选地,所述转移结合面的尺寸大小可调,和/或所述转移结合面的粘度可调;
优选地,所述转移部的材料包括形状记忆型高分子材料,以调整所述转移结合面的大小;
优选地,所述转移部的材料包括粘度可调型高分子材料,以调整所述转移结合面的粘度。
可选地,所述转移部的材料包括电致变形材料;
优选地,所述电致变形材料包括:热致变形材料和导电材料;
优选地,所述热致变形材料包括:聚降冰片烯、聚氨酯、高反式聚异戊二烯、苯乙烯、7-丁二烯共聚物、含氟树脂、聚己酸内酯和聚酰胺中的至少一种;
所述导电材料包括:导电炭黑、金属粉末和导电高分子中的至少一种。
可选地,所述转移部的材料包括热致变形材料;
优选地,所述热致变形材料包括:聚降冰片烯、聚氨酯、高反式聚异戊二烯、苯乙烯、7-丁二烯共聚物、含氟树脂、聚己酸内酯或聚酰胺中的至少一种;
优选地,所述转移头还包括调温部,所述调温部位于所述衬底和所述转移部之间;或者,所述调温部位于所述衬底远离所述转移部的一侧。
可选地,所述转移部的材料包括光致变形材料;
优选地,所述光致变形材料包括高分子材料和光致变色基团;
优选地,所述高分子材料包括:聚乙烯、聚异戊二烯、聚酯、共聚酯、聚酰胺、共聚酰胺和聚氨酯中的至少一种;
所述光致变色基团包括:偶氮苯和螺苯并吡喃中的至少一种。
可选地,所述转移部的材料包括化学感应材料;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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