[发明专利]一种有机发光显示面板及装置、精密掩膜版及其制备方法在审
申请号: | 202110482752.6 | 申请日: | 2021-04-30 |
公开(公告)号: | CN113206138A | 公开(公告)日: | 2021-08-03 |
发明(设计)人: | 王国兵;辛宇;韩立静;陈娴 | 申请(专利权)人: | 上海天马有机发光显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56;C23C14/04 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 孟金喆 |
地址: | 200120 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 有机 发光 显示 面板 装置 精密 掩膜版 及其 制备 方法 | ||
本发明实施例公开了一种有机发光显示面板及装置、精密掩膜版及其制备方法。该有机发光显示面板包括显示区和围绕所述显示区的边框区,有机发光显示面板还包括多个有机发光像素图案,有机发光像素图案均位于显示区,有机发光像素图案包括第一像素图案和第二像素图案,第一像素图案位于边框区和第二像素图案之间,第一像素图案的规格与第二像素图案的规格在预设的公差范围之内。本发明实施例解决了传统通过蚀刻工艺形成掩膜版开口时,因蚀刻工艺均一性差,掩膜版上边缘区域的开口尺寸、形状等不能满足制备像素图案要求的问题,对不满足要求的开口通过激光修补使其满足沉积像素图案的要求,避免在边框区设置虚设像素,有利于显示面板窄边框设计。
技术领域
本发明实施例涉及显示技术领域,尤其涉及一种有机发光显示面板及装置、精密掩膜版及其制备方法。
背景技术
有机发光二极管显示器(Organic Light Emitting Diode,OLED)是一种极具发展前景的平板显示技术。OLED具有依次形成于基板上的阳极、有机发光层和阴极。OLED各功能材料层与阴极金属层薄膜通过真空热蒸镀工艺制备,真空热蒸镀工艺需要使用掩膜版,掩膜版的作用是使OLED材料蒸镀到设计的位置,因此掩膜版的开孔位置、形状以及表面平整度等都相当重要。
为了实现显示面板的窄边框设计,现有的掩膜版制作方法主要有蚀刻、电铸和激光这三种加工方法。其中,蚀刻作为较传统的制作工艺,掩膜版存在蚀刻均一性差的问题。通过蚀刻所形成的掩膜版开口中,边缘区域的开口尺寸较小,不能很好地应用于显示区,使得在制备掩膜版时需要将该尺寸规格不满足要求的开口设置为虚设开口,换言之,需要将尺寸规格不满足要求的开口在蒸镀时形成虚设像素,该虚设像素一般位于显示区的外围,不具备正常显示功能,例如在显示面板的边缘一般会形成至少两行两列的虚设像素开口,导致显示面板的边框区变宽。
发明内容
本发明提供一种有机发光显示面板及装置、精密掩膜版及其制备方法,通过激光修补工艺对掩膜版上不满足要求的开口进行激光修补处理,使其满足沉积像素图案的要求,利于显示面板的窄边框设计。
第一方面,本发明实施例提供了一种有机发光显示面板,包括显示区和围绕所述显示区的边框区;
所述有机发光显示面板还包括多个有机发光像素图案,所述有机发光像素图案均位于所述显示区;所述有机发光像素图案包括第一像素图案和第二像素图案,所述第一像素图案位于所述边框区和所述第二像素图案之间,所述第一像素图案的规格与所述第二像素图案的规格在预设的公差范围之内。
第二方面,本发明实施例还提供了一种有机发光显示装置,包括第一方面所述的有机发光显示面板。
第三方面,本发明实施例还提供了一种精密掩膜版,包括与显示区对应的蒸镀区以及围绕所述蒸镀区的非蒸镀区;
所述蒸镀区包括多个用于形成像素图案的掩膜图案;所述掩膜图案包括第一掩膜图案和第二掩膜图案,所述第一掩膜图案位于所述非蒸镀区和所述第二掩膜图案之间,所述第一掩膜图案的规格与所述第二掩膜图案的规格在预设的公差范围之内。
第四方面,本发明实施例还提供了一种精密掩膜版的制备方法,包括:
提供一掩膜基板;
采用光刻工艺在所述掩膜基板与显示区对应的蒸镀区蚀刻形成多个掩膜图案,所述掩膜图案用于形成像素图案;所述掩膜图案包括标准掩膜图案和异常掩膜图案,所述异常掩膜图案的规格与所述标准掩膜图案的规格在预设的公差范围之外;
采用激光蚀刻工艺对至少部分所述异常掩膜图案进行修补,形成多个激光修补掩膜图案,所述激光修补掩膜图案的规格与所述标准掩膜图案的规格在预设的公差范围之内。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的