[发明专利]一种基于超表面阵列结构的长波通滤光片有效
| 申请号： | 202110482639.8 | 申请日： | 2021-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN113189689B | 公开（公告）日： | 2022-04-22 |
| 发明（设计）人： | 赵亮;余跃;钱沁宇;王钦华 | 申请（专利权）人： | 扬州大学 |
| 主分类号： | G02B5/20 | 分类号： | G02B5/20 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 吴旭 |
| 地址： | 225009 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 表面 阵列 结构 长波 滤光 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于超表面阵列结构的长波通滤光片，其特征在于，包括基底、过渡层以及超表面结构三层；每个阵列单元的所述超表面结构由两部分组成，第一部分为由GaAs条状材料堆叠而成的呈上下立体的“井”字型结构，该部分的条状材料平均的分布在过渡层中心点的左右各1/4处；第二部分为镶嵌在过渡层中并且球心与过渡层中心点重合的GaAs圆球。
2.根据权利要求1所述的基于超表面阵列结构的长波通滤光片，其特征在于，阵列周期p为188nm-193nm。
3.根据权利要求1所述的基于超表面阵列结构的长波通滤光片，其特征在于，GaAs圆球半径r为68nm-71nm。
4.根据权利要求1所述的基于超表面阵列结构的长波通滤光片，其特征在于，过渡层厚度b为120nm-140nm。
5.根据权利要求1所述的基于超表面阵列结构的长波通滤光片，其特征在于，“井”字型结构的下层GaAs条状材料宽度m为20nm-28nm，下层GaAs条状材料高度t为53nm-65nm。
6.根据权利要求1所述的基于超表面阵列结构的长波通滤光片，其特征在于，上层GaAs条状材料宽度n为21nm-27nm，上层GaAs条状材料高度d为64nm-72nm。
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