[发明专利]半导体器件及其制备方法

说明书

本申请提供了一种半导体器件及其制备方法，所述半导体器件包括间隔设置的多个下电极；其中，所述下电极具有外侧部；设置于每个下电极周围并与每个下电极外侧部直接接触的支撑层；其中，所述支撑层包括间隔设置的多个开口部；每个所述开口部与若干所述下电极接触，每个所述下电极的侧壁外侧部至少部分与所述支撑层接触，且至少一个所述下电极的横切面与所述开口部的横切面的重叠部分的总面积大于单个所述下电极的横切面面积的70％。本申请中，即使该下电极与支撑层接触的部分面积很小，该下电极也不会倒塌，开口部得以暴露出该下电极的大部分表面，在维持下电极不会倒塌的基础上，大大降低了电容介质层和上电极的工艺难度。

技术领域

本申请涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种半导体器件及其制备方法。

背景技术

由于半导体元件朝向高密度化发展，单元面积内的元件尺寸不断减小。诸如动态随机存取存储器(DRAM)的半导体器件在每个单元中可能需要一定的电容水平。因此，为了避免电容元件的电容降低，电容元件需要更大的有效表面积，例如圆柱形。然而，当电容元件被制作成具有高深宽比的下电极时，可能会造成电容元件的不稳定。例如倒塌并接触相邻的其他电容元件，从而导致损坏和漏电流的发生。

现有技术中，为了不使得下电极倒塌，通常在下电极周围形成支撑层以支撑下电极，但是支撑层的设置又会对下电极表面上的电容介质层和上电极的制备工艺产生影响。

发明内容

针对上述问题，本申请提供了一种半导体器件及其制备方法，解决了现有的支撑层的设置又会对下电极表面上的电容介质层和上电极的制备工艺产生影响的技术问题。

第一方面，本申请提供一种半导体器件，包括：

间隔设置的多个下电极；其中，所述下电极具有外侧部；

设置于每个下电极周围并与每个下电极外侧部直接接触的支撑层；其中，所述支撑层包括间隔设置的多个开口部；

其中，每个所述开口部与若干所述下电极接触，每个所述下电极的外侧部至少部分与所述支撑层接触，且至少一个所述下电极的横切面与所述开口部的横切面的重叠部分的总面积大于单个所述下电极的横切面面积的70％。

在一些实施例中，上述半导体器件中，至少一个所述下电极同时与两个相邻的所述开口部接触。

在一些实施例中，上述半导体器件中，所述两个相邻的所述开口部的横切面与所述下电极的横切面的重叠部分不连续。

在一些实施例中，上述半导体器件中，所述两个相邻的所述开口部的横切面与所述下电极的横切面的重叠部分连续。

在一些实施例中，上述半导体器件中，所述多个下电极包括多个第一下电极和多个第二下电极，所述多个第一下电极排列成行，所述多个第二下电极排列成行，所述第一下电极和所述第二下电极沿着列方向交替设置，且所述第一下电极和所述第二下电极交错设置。

在一些实施例中，上述半导体器件中，每个所述开口部与两个所述第一下电极和两个所述第二下电极接触。

在一些实施例中，上述半导体器件中，所述下电极的形状为圆筒状或圆柱状。

在一些实施例中，上述半导体器件中，还包括：

至少覆盖所述下电极外侧部表面和所述支撑层表面的介电层；

覆盖所述介电层表面的上电极；其中，所述上电极填充于相邻两个所述下电极之间。

第二方面，本申请提供一种半导体器件的制备方法，包括：

提供衬底；

在所述衬底上方形成牺牲层；

在所述牺牲层上方形成支撑层；