[发明专利]一种显示装置及其制备方法在审
申请号: | 202110477077.8 | 申请日: | 2021-04-29 |
公开(公告)号: | CN113192998A | 公开(公告)日: | 2021-07-30 |
发明(设计)人: | 王明星;刘英伟;李海旭;王珂;曹占锋;袁广才;齐琪 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/48;H01L33/62 |
代理公司: | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人: | 李娜 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示装置 及其 制备 方法 | ||
本发明实施例提供一种显示装置及其制备方法及显示装置,该显示装置包括:背板;功能模组;功能模组包括:第一薄膜层,第一薄膜层包括多个阵列排列的第一导电体;第一电极层,第一电极层设置在第一薄膜层背离背板的一面,包括多个与第一导电体一一对应排列的第二导电体;功能层,功能层设置在所述第一电极层背离所述第一薄膜层的一面;第二电极层,第二电极层设置在所述功能层背离所述第一电极层的一面。在本发明实施例中,通过结合功能层与第一导电体,提高显示装置的发光效率,以及功能层能够降低发光波长对电流的蓝移,此外,多个第一导电体作为电极,能够减少巨量的第一导电体在转移和键合时对精度要求高的问题。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示装置及其制备方法。
背景技术
Mini/Micro LED(微型发光二极管)是新一代显示技术,比现有的有机发光二极管技术的显示亮度更高、发光效率更好、功耗更低。现有的Mini/Micro LED采用RGB三色LED,或者是采用蓝色LED结合量子点实现显示装置的彩色化显示;其中,采用蓝色LED结合量子点实现显示装置的彩色化显示,由于不采用红色LED,使成本低,并且发光效率高,并且量子点具有色域高,不随电流变化出现波长红移或者蓝移的现象。
但是目前的Mini/Micro LED还存在发光效率低、LED发光波长对电流的蓝移,巨量LED在转移以及键合过程中对精度要求高的问题;参照图1,示出现有的显示装置的一种背板,其中,背板包括基板01,以及设置在基板01上的多个电极N,其中,多个LED在转移以及键合时,需要将各个LED与背板上的P区域一一对应,此外,还需要将事先制备的LED的电极与电极N进行对位,因此,对LED转移以及键合时的精度要求很高。
发明内容
本发明提供一种显示装置及其制备方法,以解决采用现有显示装置存在发光效率低、LED发光波长对电流的蓝移,巨量LED在转移以及键合过程中对精度要求高的问题。
本发明第一方面提供了一种显示装置,所述显示装置包括:
背板;
功能模组,所述功能模组设置在所述背板上;所述功能模组包括:第一薄膜层,所述第一薄膜层包括多个阵列排列的第一导电体;第一电极层,所述第一电极层设置在所述第一薄膜层背离所述背板的一面,包括多个与所述第一导电体一一对应排列的第二导电体;功能层,所述功能层设置在所述第一电极层背离所述第一薄膜层的一面;第二电极层,所述第二电极层设置在所述功能层背离所述第一电极层的一面。
可选地,所述背板包括:
第一基板,以及设置在所述第一基板上的第三电极层;所述第三电极层包括:阳极和阴极;所述第一基板包括:发光区和所述发光区四周的非发光区;所述阳极设置在所述发光区,所述阴极设置在所述非发光区;
则所述功能模组还包括:第四电极层;所述第四电极层设置在在所述第二电极层背离所述背板的一面以及所述阴极背离所述第一基板的一面;
其中,所述第一薄膜层的各个所述第一导电体与所述阳极对应接触。
可选地,所述功能模组包括:多个功能组件;多个所述功能组件阵列排布;
则所述背板包括:
第二基板,以及设置在所述第二基板上的第五电极层;
所述第五电极层包括:阳极和阴极;所述第二基板划分有多个第一区域和第二区域;所述第二区域设置在所述第一区域之间;所述第一区域内放置多个所述阳极;所述第二区域内放置所述阴极;
一个所述功能组件与一个所述第一区域对应设置。
可选地,一个所述阳极对应与多个所述第一导电体键合。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的