[发明专利]显示面板及显示装置在审
申请号: | 202110476546.4 | 申请日: | 2021-04-29 |
公开(公告)号: | CN113193033A | 公开(公告)日: | 2021-07-30 |
发明(设计)人: | 范文志;万云海;李瑶;朱超;刘家昌;曹曙光;淮兆祥;施文峰;蔡伟民 | 申请(专利权)人: | 合肥维信诺科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L27/12;H01L23/64 |
代理公司: | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人: | 成丽杰 |
地址: | 230037 安徽省合*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 显示装置 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,包括:
基板;
第一薄膜晶体管,所述第一薄膜晶体管包括依次层叠设置的第一有源层、第一栅绝缘层以及第一栅极,所述第一有源层设置在所述基板上;
第二薄膜晶体管,所述第二薄膜晶体管包括第二有源层,所述第二有源层设置在所述第一栅绝缘层背离所述基板的一侧,且所述第二有源层与所述第一栅极同层设置;
存储电容,所述存储电容包括第一电极,所述第一电极与所述第一有源层或所述第二有源层同层设置,且所述第一电极的材质与同层设置的有源层的材质相同。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第二有源层的材质为金属氧化物,所述第一栅极的材质包括金属氧化物和第一离子,且形成所述第一栅极的金属氧化物与形成所述第二有源层的金属氧化物相同;
其中,所述第一离子用于掺杂在所述金属氧化物内,以将所述第一栅极转化为导体。
3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述存储电容还包括第二电极,当所述第一电极与所述第一有源层同层设置时,所述第一栅绝缘层覆盖所述第一电极,所述第二电极与所述第二有源层同层设置。
4.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述第二有源层的材质为金属氧化物,所述第二电极的材质包括金属氧化物和第二离子,且形成所述第二电极的金属氧化物与形成所述第二有源层的金属氧化物相同;
其中,所述第二离子用于掺杂在所述金属氧化物内,以将所述第二电极转化为导体。
5.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第二薄膜晶体管还包括设置在所述第二有源层背离所述基板一侧的第二栅绝缘层、设置在所述第二栅绝缘层背离所述基板一侧的第二栅极;
所述存储电容还包括第二电极,当所述第一电极与所述第一有源层同层设置时,所述第一栅绝缘层覆盖所述第一电极,所述第二电极与所述第二栅极同层设置;
当所述第一电极与所述第二有源层同层设置时,所述第二栅绝缘层覆盖所述第一电极,所述第二电极与所述第二栅极同层设置。
6.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于,所述第二电极与所述第二栅极的材质相同,且均为金属材质。
7.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一有源层在所述基板上的正投影与所述第二有源层在所述基板上的正投影不重合。
8.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一栅极在所述基板上的正投影位于所述第一有源层在所述基板上的正投影内。
9.根据权利要求1至8任一项所述的显示面板,其特征在于,所述第一有源层的材质为低温多晶硅。
10.一种显示装置,其特征在于,包括:如权利要求1至9任一项所述的显示面板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的