[发明专利]一种基于二维拓扑绝缘体的太阳能电池板在审
申请号: | 202110473839.7 | 申请日: | 2021-04-29 |
公开(公告)号: | CN113193060A | 公开(公告)日: | 2021-07-30 |
发明(设计)人: | 乔雅楠;李长明 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨理工大学 |
主分类号: | H01L31/032 | 分类号: | H01L31/032;H01L31/043;H01L31/048;C09J123/08;C09J11/04 |
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地址: | 150080 黑龙*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 二维 拓扑 绝缘体 太阳能 电池板 | ||
本发明公开了一种基于二维拓扑绝缘体的太阳能电池板,包括PET面板、第一EVA胶膜、拓扑绝缘层、第二EVA胶膜、PTP背板和柔性电池,所述PET面板的底部设有第一EVA胶膜,所述第一EVA胶膜的底部设有拓扑绝缘层,所述拓扑绝缘层的底部设有第二EVA胶膜,所述第二EVA胶膜的底部设有PTP背板,所述PTP背板的底部设有柔性电池。该太阳能电池板采用二维拓扑绝缘体代替晶硅电池片,不仅成本低,而且二维拓扑绝缘体有更高的发电效率,能忍受一定程度的扰动,电流输运过程中能达到零损耗,该太阳能电池板适用范围广,而且属于柔性太阳能板,灵活性强,使用寿命长,生产简单方便。
技术领域
本发明涉及二维拓扑绝缘体领域,具体为一种基于二维拓扑绝缘体的太阳能电池板。
背景技术
拓扑绝缘体分为二维拓扑绝缘体材料和三维拓扑绝缘体,其中三维拓扑绝缘体相对容易制备,在实验研究方面进展迅速;但是,三维拓扑绝缘体难以投入应用,因为其有严重的缺点,如表面导电性能太好从而不易控制其输运性质、材料本身容易产生缺陷从而形成N型或P型的常规半导体等;相反,二维拓扑绝缘体材料的边界态很纯净且只有几个原子层厚度,在将来纳米尺度的电子器件中应用有天然优势;然而,二维拓扑绝缘体材料却难以制备,拓扑绝缘体在生活中应用十分广泛,尤其涉及到太阳能发电,现有的太阳能发电板大多内部采用晶硅电池片进行发电,不仅生产成本高,而且电流传送有损耗,不利于高效发电,为此提供一种基于二维拓扑绝缘体的太阳能电池板。
发明内容
本发明的目的是针对现有技术的缺陷,提供一种基于二维拓扑绝缘体的太阳能电池板,以解决上述背景技术提出的问题。
为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:一种基于二维拓扑绝缘体的太阳能电池板,包括PET面板、第一EVA胶膜、拓扑绝缘层、第二EVA胶膜、PTP背板和柔性电池,所述PET面板的底部设有第一EVA胶膜,所述第一EVA胶膜的底部设有拓扑绝缘层,所述拓扑绝缘层的底部设有第二EVA胶膜,所述第二EVA胶膜的底部设有PTP背板,所述PTP背板的底部设有柔性电池。
所述PET面板通过第一EVA胶膜固定在拓扑绝缘层上,所述PTP背板通过第二EVA胶膜与拓扑绝缘层固定相连。
所述柔性电池通过柔性胶粘接在PTP背板的背面上。
所述PET面板、第一EVA胶膜、拓扑绝缘层、第二EVA胶膜、PTP背板和柔性电池为叠加结构。
所述第二EVA胶膜内采用拓扑绝缘体作为电子传输层,拓扑绝缘体为BiSe或SbTe或BiTe中的任意一种。
所述拓扑绝缘层的两端均设有电极,所述拓扑绝缘层通过电极与柔性电池的正负极相连,所述电极为铂电极或金电极。
所述第二EVA胶膜的制作方法,具体步骤如下:
S1:将二氧化硅粉末、氢氧化钠粉末、氧化硼粉末、三氧化二铋粉末、硒粉末或碲粉末按照摩尔比为4:4:1:0.1:0.1混合,得到混合物A,并将混合物A;
S2:在900-1100℃下进行高温熔融,之后冷却至室温,得到铋基拓扑绝缘体材料;
S3:将S2得到的铋基拓扑绝缘体材料与异丙醇混合并进行研磨,得到铋基拓扑绝缘体材料粉末,然后将铋基拓扑绝缘体材料粉末分散于异丙醇中并进行超声分散,得到铋基拓扑绝缘体二维材料。
作为本发明的一种优选技术方案,所述电极杆插槽内安装有铜片,所述铜片与受电线圈电性连接,所述送电线圈通过外接电源连接线与外接电源相连。
本发明的有益效果是:该太阳能电池板采用二维拓扑绝缘体代替晶硅电池片,不仅成本低,而且二维拓扑绝缘体有更高的发电效率,能忍受一定程度的扰动,电流输运过程中能达到零损耗,该太阳能电池板适用范围广,而且属于柔性太阳能板,灵活性强,使用寿命长,生产简单方便。
附图说明
图1为本发明的结构示意图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的