[发明专利]一种等离子技术制备疏水性PU革的方法

说明书

本发明属于聚氨酯合成革技术领域，具体涉及一种等离子技术制备疏水性PU革的方法。首先制备PU湿法贝斯；然后取聚氨酯底料混合DMF，分散均匀且脱泡后得到混合液A，再将聚氨酯干法面料树脂混合炭黑、DMF充分搅匀、脱泡后得到混合液B；取混合液B均匀涂覆于离型纸表面，烘干后再于其表面涂覆混合液A，然后将PU湿法贝斯贴于其表面，经烘干、剥离即可得到PU革；通过等离子方法使得有机硅在PU革表面形成一层连续稳定的薄膜，并且该薄膜与PU革的粘结牢度较大，能使得PU革有着疏水性的同时又具有较长的使用寿命，经过200次清洗后，其表面接触角仍然达到96度；同时本发明具有较好的操作便捷，经济实用，较为环保安全。

技术领域

本发明属于聚氨酯合成革的技术领域，尤其涉及一种等离子技术制备疏水性PU革的方法。

背景技术

等离子技术近年来较为常见，但是通过等离子技术制备疏水性聚氨酯合成革却鲜有见闻。其中较为特别的当属常压等离子技术，其具有低压等离子技术所不具备的优势。常压等离子体能快速有效的创造一个等离子区域，自由电子、离子、自由基及其它类型的活性物种，在特定的条件下能稳定的存在与等离子区域中。通常获得疏水性PU革的制备方法为，将氟碳化合物及有机硅烷负载于PU革表面，常用的氟碳化合物为C₂F₄、C₃F₆、C₄F₈及C₆F₁₄等。但是氟碳化合物在形成疏水性表面的同时会产生有毒的氢氟酸，严重危害人体及环境，这个缺陷一直没有被解决。因此，才有人将有机硅作为疏水性材料被用在合成革中，但是也存在缺陷即有机硅不能牢固负载于合成革表面，制备的有机硅疏水性合成革经过3～4次水洗后，有机硅从合成革表面脱落，即不具有疏水性特征。

为了改善上述的问题，本发明通过常压等离子方法将疏水性有机硅牢固的负载于PU革表面。该技术为对疏水性PU革的制备提供了有力的借鉴。

发明内容

目前等离子技术广发应用于电子、化学化工及新材料等领域，并且等离子的应用及制备技术相当成熟。为了使得制备的有机硅类型的疏水性PU革，能在多次清洗的前提下仍然能够具有疏水的特性，我们做了大量的实验研究，本发明提出了一种等离子技术制备疏水性PU革的制备方法。

为了实现上述目的，本发明采用如下技术方案，疏水性PU革包含如下组分：

聚氨酯湿法树脂20～30份

聚氨酯底料10～20份

聚氨酯干法面料树脂10～20份

有机硅4～8份

溶剂DMF 50～60份

一种等离子技术制备疏水性PU革的方法，其表面接触角为96度，经过200次清洗后，其表面接触角仍然达到96度，基本不变，具有良好的疏水性效果。

一种等离子技术制备疏水性PU革的方法，包括如下步骤：

(1)PU湿法贝斯的制备：首先将聚氨酯湿法树脂混合木质纤维素、黑色浆及溶剂DMF，分散均匀后真空脱泡得到混合溶液，并将其均匀涂覆于革用基布表面，涂覆后凝固一段时间，凝固后取出进行压水及烘干，即可制得PU湿法贝斯；

(2)取聚氨酯底料混合DMF，分散均匀且脱泡后得到混合液A，待用；

(3)将聚氨酯干法面料树脂混合炭黑、DMF充分搅匀、脱泡后得到混合液B，待用；

(4)PU革的制备：将步骤(3)制备的混合液B均匀涂覆于离型纸表面，烘干后，再于其表面涂覆步骤(2)制备的混合液A，然后将步骤(1)制备的PU湿法贝斯贴于其表面，再次烘干，最终从离型纸表面剥离即可得到PU革；