[发明专利]半导体结构

说明书

本公开涉及半导体结构。通过疏水材料与亲水材料形成密封材的限制区，解决了密封材不易控制的问题，改善了产品的性能，提高了产品的良率。

技术领域

本公开涉及半导体技术领域，具体涉及半导体结构。

背景技术

随着封装技术的演进，各式各样的封装结构亦推陈出新，整体封装尺寸也越来越小，其中微机电系统(MEMS,Micro-Electro-Mechanical System)为半导体与精密机械之整合，通过微传感器与微制动器与外界环境进行沟通连结，进而连动其他机制行为。现在，MEMS封装结构已具高强度、高性能且价格低的优势，是未来重点。

传统MEMS扬声器封装结构通常在基板端或者MEMS端设计密封环(seal ring)，以避免声波经过反射后干涉同相音波(即反相音波干涉同相音波)。然而由于seal ring与连接MEMS及基板之间的焊接材料(solder material)由不同制程制作，制程较复杂，加上若基板相对MEMS之间有翘曲(warpage)问题，密封环则不易于基板及MEMS之间形成密封，甚至因为流动不易控制的关系盖住音孔，进而影响MEMS扬声器封装结构的性能。

发明内容

本公开提供了半导体结构。

第一方面，本公开提供了一种半导体结构，该半导体结构包括：第一电子元件，第一电子元件的下表面具有第一限制区域；第二电子元件，第二电子元件的上表面具有第二限制区域；密封材，设于第一限制区域与第二限制区域之间；第一限制区域、第二限制区域以及密封材具有相同的材料表面特性。

在一些可选的实施方式中，第二电子元件的上表面具有围绕第二限制区域的第三限制区域，第三限制区域与第一限制区域具有不同的材料表面特性。

在一些可选的实施方式中，第一限制区域、第二限制区域以及密封材具有相同的材料表面特性，包括：第一限制区域、第二限制区域以及密封材具有亲水性。

在一些可选的实施方式中，第三限制区域具有疏水性。

在一些可选的实施方式中，第一限制区域、第二限制区域以及密封材具有相同的材料表面特性，包括：第一限制区域、第二限制区域以及密封材具有疏水性。

在一些可选的实施方式中，第三限制区域具有亲水性。

在一些可选的实施方式中，第一限制区域具有金属层。

在一些可选的实施方式中，第二限制区域设有第一金属环。

在一些可选的实施方式中，第一限制区域具有金属层和疏水改质层。

在一些可选的实施方式中，第三限制区域设有第二金属环。

在一些可选的实施方式中，第二电子元件设有音孔；以及音孔内壁设有金属限制层，第二金属环和金属限制层定义出第二限制区域。

在一些可选的实施方式中，第一电子元件与第二电子元件之间设有导电焊垫。

在一些可选的实施方式中，第一电子元件为微机电扬声器，第二电子元件为基板。