[发明专利]一种PN微米线制备方法

权利要求书

1.一种PN微米线制备方法，所述PN微米线包括微米线、P型接触面和N型接触面，其特征在于，所述方法包括：

利用分子束外延生长方法制备PN结样品，并获取P型层厚度、N型层厚度和缓冲层厚度；

根据P型层厚度、N型层厚度和缓冲层厚度计算微米线刻蚀深度和N型接触面刻蚀深度；

利用湿蚀刻根据微米线刻蚀深度和N型接触面刻蚀深度在PN结样品上刻蚀出微米线和N型接触面；

在P型接触面和N型接触面上沉积金属膜；

所述方法还包括：

根据预先设计的微米线形状和宽度在PN结样品上刻蚀70nm深的微米线；

所述方法还包括：

清洗PN结样品并在PN结样品上均匀涂抹光刻胶；

在带有N型接触面图案的掩膜板下曝光涂覆有光刻胶的PN结样品，并在显影剂中溶解掉曝光部分的光刻胶；

使用酸溶液作为蚀刻剂，在N型接触面区域刻蚀90nm深度到达N型层；

清除现有光刻胶层，再次涂覆光刻胶，并在带有N型接触面图案和P型接触面图案的掩膜板下曝光，在显影剂中溶解掉曝光部分的光刻胶；

利用蒸发法在PN结样品上沉积金属薄膜，并利用光刻胶溶剂剥离涂覆在光刻胶层上的金属薄膜，得到N型接触面和P型接触面；

所述PN结样品的P型层厚度为60nm，N型层厚度为50nm，缓冲层厚度为20nm，缓冲层在P型层与N型层之间。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述清洗PN结样品的方法是使用丙酮和异丙酮在超净间中进行清洗。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，以旋转涂抹的方式在PN结的P型层上涂抹光刻胶，旋转速度为4000rpm，光刻胶的涂覆厚度为1.4µm。