[发明专利]低压差线性稳压电路与电子设备有效

专利信息
申请号: 202110469737.8 申请日: 2021-04-28
公开(公告)号: CN113157040B 公开(公告)日: 2022-07-12
发明(设计)人: 郑新年;钟林;柯庆福;孙凯 申请(专利权)人: 晋江三伍微电子有限公司
主分类号: G05F1/56 分类号: G05F1/56
代理公司: 上海慧晗知识产权代理事务所(普通合伙) 31343 代理人: 周冬文
地址: 362200 福建省泉州市晋江市罗山*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 低压 线性 稳压 电路 电子设备
【说明书】:

发明提供了一种低压差线性稳压电路与电子设备,包括第一耗尽型逻辑管与反馈调节模块;所述第一耗尽型逻辑管的第一端连接供电端,所述第一耗尽型逻辑管的第二端直接或间接连接电压输出端,用于输出目标电压;所述第一耗尽型逻辑管的第二端还直接或间接连接所述反馈调节模块的第一端,所述第一耗尽型逻辑管的控制端连接所述反馈调节模块的第二端;所述反馈调节模块用于:在检测到所述电压输出端当前的输出电压变高时,通过调低所述第一耗尽型逻辑管的控制端电压,调低所述输出电压;在检测到所述电压输出端当前的输出电压变低时,通过调高所述第一耗尽型逻辑管的控制端电压,调高所述输出电压。

技术领域

本发明涉及高电子迁移率晶体管领域,尤其涉及一种低压差线性稳压电路与电子设备。

背景技术

低压差线性稳压电路(LDO,low dropout regulator)能够为电路提供稳定的电源,作为电路的基本单元已经被广泛应用,随着通信标准的不断提升,对电路的工作切换速度、功耗等要求也越来越高,因此,低延时、低功耗的低压差线性稳压电路也越来越重要。

目前高性能的射频芯片很多是用ED-pHEMT工艺制作,该工艺通常只能提供E-mode(增强型)与D-mode(耗尽型)两种形式的逻辑管,并且两种逻辑管控制端电极有漏电存在,所以低静态功耗的低压差线性稳压电路设计变得尤为困难。

可见,现有技术中,并无既能普遍适于各种工艺(尤其可适于ED- pHEMT工艺)又能形实现明显LDO特性的电路。

发明内容

本发明提供一种低压差线性稳压电路与电子设备,以解决并无既能普遍适于各种工艺(尤其可适于ED-pHEMT工艺)又能实现明显LDO特性的电路的问题。

根据本发明的第一方面,提供了一种低压差线性稳压电路,包括第一耗尽型逻辑管与反馈调节模块;

所述第一耗尽型逻辑管的第一端连接供电端,所述第一耗尽型逻辑管的第二端直接或间接连接电压输出端,用于输出目标电压;所述第一耗尽型逻辑管的第二端还直接或间接连接所述反馈调节模块的第一端,所述第一耗尽型逻辑管的控制端连接所述反馈调节模块的第二端;所述第一耗尽型逻辑管的控制端还经所述反馈调节模块直接或间接接地;

所述反馈调节模块用于:

在检测到所述电压输出端当前的输出电压变高时,通过调低所述第一耗尽型逻辑管的控制端与第二端之间的电压差,调低所述输出电压;

在检测到所述电压输出端当前的输出电压变低时,通过调高所述第一耗尽型逻辑管的控制端与第二端之间的电压差,调高所述输出电压。

可选的,所述反馈调节模块包括第一电阻与压降调节单元;

所述第一电阻的第一端与所述压降调节单元的第一端连接于所述电压输出端,所述第一电阻的第二端连接所述压降调节单元的第二端,所述第一电阻的第二端还连接所述第一耗尽型逻辑管的控制端,且所述第一耗尽型逻辑管的控制端还经所述压降调节单元直接或间接接地;

所述压降调节单元用于:

在检测到所述电压输出端当前的输出电压变高时,通过调低所述第一电阻两端的压降,调低所述第一耗尽型逻辑管的控制端与第二端之间的电压差;

在检测到所述电压输出端当前的输出电压变低时,通过调高所述第一电阻两端的压降,调高所述第一耗尽型逻辑管的控制端与第二端之间的电压差。

可选的,所述压降调节单元包括电流调节部、第二电阻与第一增强型逻辑管;

所述电流调节部的第一端连接所述电压输出端,所述电流调节部的第二端连接所述第二电阻的第一端,所述电流调节部的第二端还连接所述第一增强型逻辑管的控制端,所述第一增强型逻辑管的第一端连接所述第一电阻的第二端,所述第一增强型逻辑管的第二端直接或间接接地,所述第二电阻的第二端连接所述第一增强型逻辑管的第二端;

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