[发明专利]一种复合式电子传感器及其浮地电压抵消方法有效

专利信息
申请号: 202110469098.5 申请日: 2021-04-28
公开(公告)号: CN113280848B 公开(公告)日: 2023-08-11
发明(设计)人: 许利凯 申请(专利权)人: 三河市凡科科技有限公司
主分类号: G01D18/00 分类号: G01D18/00
代理公司: 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙) 11390 代理人: 胡剑辉
地址: 065200 河北省廊坊市三河市燕郊开发*** 国省代码: 河北;13
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摘要:
搜索关键词: 一种 复合 电子 传感器 及其 电压 抵消 方法
【权利要求书】:

1.一种复合式电子传感器的浮地电压抵消方法,其特征在于,包括以下步骤:

步骤100、利用1Wire通讯的复位信号时序逻辑调试复合式电子传感器;

步骤200、监控集成标签的浮地电压,获取浮地电压的最大电压值和最小电压值;

步骤300、利用微处理单元配置两个可编程分压器的电阻,调配所述可编程分压器的输出电压以抵消所述浮地电压;

其中,复合式电子传感器具体包括:

集成标签(1),由传感器和1Wire芯片组成,用于提供所述传感器的基本参数以及实时监测数据;

测线单元(3),用于将所述集成标签(1)与标签读数仪(2)连接;

标签读数仪(2),由微处理单元(21)、逻辑信号隔离器(22)、数据线强驱动电路(23)和可编程电平逻辑调整器(24)组成,用于完成动态识别传感器、自动完成从识别到物理量计算的全部过程;

且所述测线单元(3)由1Wire信号线的等效电阻Rw和寄生电容Cs组成,所述测线单元(3)产生两个连接端口,所述标签读数仪(2)的数据线通过所述逻辑信号隔离器(22)连接在所述测线单元(3)的一个连接端口,所述标签读数仪(2)的隔离电源负极连接到所述测线单元(3)的另一个连接端口;

所述微处理单元(21)的I/O接口通过所述逻辑信号隔离器(22)与所述等效电阻Rw连接以完成与所述1Wire芯片的双向通讯;

所述逻辑信号隔离器(22)由两组数字磁隔离芯片(221)组成,两组所述数字磁隔离芯片(221)分别与所述微处理单元(21)的I/O接口连接,主要用于负责传导所述微处理单元(21)与所述1Wire芯片之间的双向通讯数据信号和逻辑信号;

所述数据线强驱动电路(23)安装在所述标签读数仪(2)的数据线上,且所述数据线强驱动电路(23)通过所述逻辑信号隔离器(22)与所述微处理单元(21)连接,并受控于所述微处理单元(21),所述数据线强驱动电路(23)包括与一个所述数字磁隔离芯片(221)连接的上拉电阻R3和上拉电阻R4,以及连接在所述上拉电阻R3和上拉电阻R4之间的PMOS管;

所述可编程电平逻辑调整器(24)由两路可编程分压器(241)、两路运算放大器(242)和线性光耦隔离器(243)组成。

2.根据权利要求1所述的一种复合式电子传感器的浮地电压抵消方法,其特征在于:所述微处理单元(21)具有四个所述I/O接口,分别为IO1接口、IO2接口、IO3接口和IO4接口,其中所述IO1接口和IO2接口组合连接在一个所述数字磁隔离芯片(221)上,而所述IO3接口和IO4接口组合连接在另一个所述数字磁隔离芯片(221)上;

所述IO1接口通过强上拉所述PMOS管控制数据的输入方向和输出方向切换;

所述IO2接口用于通讯过程中的输出;

所述IO3接口用于接收所述1Wire芯片返回的数据逻辑高信号;

所述IO4接口用于接收所述1Wire芯片返回的数据逻辑低信号;

所述IO3接口和IO4接口均为开漏输入,所述IO3接口在上拉电阻的作用下默认为低电平,且所述IO4接口在所述上拉电阻的作用下默认为高电平。

3.根据权利要求2所述的一种复合式电子传感器的浮地电压抵消方法,其特征在于:两路所述可编程分压器(241)分别均与所述微处理单元(21)连接,且所述可编程分压器(241)内部的可调电位器与所述微处理单元(21)连接,并在所述微处理单元(21)控制下调节所述可编程分压器(241)的输出电压;

所述线性光耦隔离器(243)与所述微处理单元(21)连接,所述线性光耦隔离器(243)负责将所述测线单元(3)上的电压信号传导给所述微处理单元(21)内部的ADC转换器;

所述可编程分压器(241)的两路所述运算放大器(242)的输出端分别设置在与所述IO3接口和IO4接口连接的所述数字磁隔离芯片(221)上,且两路所述运算放大器(242)的反向输出端分别连接在两路所述可编程分压器(241)上,两路所述运算放大器(242)的同向输入端分别与所述线性光耦隔离器(243)连接并接入所述测线单元(3)上。

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