[发明专利]钝化接触结构及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 202110466085.2 | 申请日： | 2021-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN113345969A | 公开（公告）日： | 2021-09-03 |
| 发明（设计）人： | 叶继春;曾俞衡;闫宝杰;刘尊珂;廖明墩;马典;韩庆玲;程皓;郑晶茗;刘伟 | 申请（专利权）人： | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/068;H01L31/18 |
| 代理公司： | 宁波甬致专利代理有限公司 33228 | 代理人： | 李魏 |
| 地址： | 315201 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 钝化 接触 结构 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种钝化接触结构，包括有衬底(1)，其特征在于：所述衬底(1)的一个表面或两个表面上依次集成有碳氧化硅钝化层(2)和掺杂多晶硅层(3)。
2.根据权利要求1所述的钝化接触结构，其特征在于：所述碳氧化硅钝化层(2)的厚度为0.5-5nm。
3.根据权利要求2所述的钝化接触结构，其特征在于：所述碳氧化硅钝化层(2)的厚度为1-2nm。
4.根据权利要求1所述的钝化接触结构，其特征在于：所述碳氧化硅钝化层(2)中掺杂碳原子含量0.1at％-20at％。
5.根据权利要求1所述的钝化接触结构，其特征在于：所述碳氧化硅钝化层(2)的氧化源为CO或CO2或CH4、O2及SiH4三种组分的混合气。
6.一种如权利要求1-5任一所述的钝化接触结构的制备方法，其特征在于：包括在衬底(1)的一个表面或两个表面依次制备碳氧化硅钝化层(2)和掺杂多晶硅前驱体，再进行高温退火晶化，所述掺杂多晶硅前驱体形成掺杂多晶硅层(3)。
7.根据权利要求6所述的钝化接触结构的制备方法，其特征在于：所述退火温度范围为800-1100℃。
8.根据权利要求6所述的钝化接触结构的制备方法，其特征在于：还包括在所述掺杂多晶硅层(3)表面印刷金属浆料，再通过高温烧结，金属浆料电极(4)与掺杂多晶硅层(3)形成欧姆接触。
9.根据权利要求8所述的钝化接触结构的制备方法，其特征在于：所述金属浆料高温烧结温度范围为700-900℃。
10.一种钝化接触结构的应用，其特征在于：将权利要求1-5任一所述的钝化接触结构应用于太阳能电池。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
