[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：

下电极，位于基底上；

电容器介电膜，在所述下电极上沿着所述下电极的与所述基底垂直的侧表面延伸；

上电极，位于所述电容器介电膜上并且位于所述下电极上；

界面层，包括位于所述上电极上的氢阻挡膜和氢旁路膜，其中，所述氢旁路膜包括导电材料；以及

接触插塞，穿透所述界面层并且电连接到所述上电极。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述氢阻挡膜包括绝缘材料。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述绝缘材料包括氧化铝和氮化硅中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述氢旁路膜的所述导电材料包括金属材料。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，所述金属材料包括钨、铜和铝中的至少一种。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述氢旁路膜位于所述上电极与所述氢阻挡膜之间。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述氢阻挡膜位于所述上电极与所述氢旁路膜之间。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述下电极沿所述基底的厚度方向纵向地延伸。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中，所述上电极包括衬电极和板电极，所述衬电极沿着所述电容器介电膜的表面延伸，所述板电极位于所述衬电极上，并且

其中，所述接触插塞电连接到所述板电极。

10.根据权利要求9所述的半导体装置，

其中，所述氢旁路膜沿着所述板电极的上表面和侧表面延伸，

其中，所述氢旁路膜的侧表面与所述上电极的侧表面共面，

其中，所述氢阻挡膜位于所述氢旁路膜的上表面上，并且位于所述氢旁路膜的所述侧表面和所述上电极的所述侧表面上。

11.根据权利要求9所述的半导体装置，其中，所述板电极包括第一主体和第一突起，所述第一突起从所述第一主体的下部突出。

12.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置包括：

第一层间绝缘膜，位于所述界面层上；

第二层间绝缘膜，位于所述第一层间绝缘膜上并且包括电连接到所述接触插塞的第一布线层；以及

钝化层，位于所述第二层间绝缘膜上，

其中，所述钝化层的氢浓度比所述第一层间绝缘膜的氢浓度大和/或比所述第二层间绝缘膜的氢浓度大。

13.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述上电极的侧表面和所述界面层的侧表面共面。

14.一种半导体装置，所述半导体装置包括：

基底，包括单元区和外围区；

下电极，位于所述单元区上；

电容器介电膜，在所述下电极上沿着所述下电极的与所述基底垂直的侧表面延伸；

上电极，位于所述电容器介电膜上；

界面层，包括位于所述上电极上的氢阻挡膜和氢旁路膜；以及

接触插塞，穿透所述界面层并且电连接到所述上电极，

其中，所述氢旁路膜位于所述基底的所述单元区上，而不位于所述基底的所述外围区上。

15.根据权利要求14所述的半导体装置，其中，所述氢旁路膜的氢扩散率比所述氢阻挡膜的氢扩散率大。

16.根据权利要求14所述的半导体装置，

其中，所述上电极包括第一主体和第一突起，所述第一突起从所述第一主体的下部突出，并且

其中，所述界面层的侧表面与所述第一突起的侧表面共面。