[发明专利]半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底；

多栅极器件，具有沟道层、包裹所述沟道层的部分的金属栅极和设置在所述衬底上方的源极/漏极部件，其中，所述沟道层沿第一方向在所述源极/漏极部件之间延伸；以及

第一介电鳍和第二介电鳍，设置在所述衬底上方，其中：

所述沟道层沿第二方向在所述第一介电鳍和所述第二介电鳍之间延伸，其中，所述第二方向与所述第一方向不同，

所述金属栅极设置在所述沟道层和所述第二介电鳍之间，以及

所述第一介电鳍与所述第二介电鳍不同。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：

所述第一介电鳍包括第一氧化物层和具有第一介电常数的第一介电层，其中，所述第一氧化物层设置在所述第一介电层上方；以及

所述第二介电鳍包括第二氧化物层、具有所述第一介电常数的第二介电层和具有大于所述第一介电常数的第二介电常数的第三介电层，其中，所述第二氧化物层设置在所述第二介电层上方，并且所述第三介电层设置在所述第二氧化物层上方。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，还包括：第四介电层，覆盖所述金属栅极的顶面并且包裹所述第二介电鳍的所述第三介电层的部分，其中，金属覆盖层设置在所述第四介电层和所述金属栅极的顶面之间并且将所述第四介电层与所述金属栅极的顶面分隔开。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述金属栅极设置在所述第一介电鳍的顶面上方并且物理接触所述第一介电鳍的顶面。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

第一隔离部件，设置在所述第一介电鳍和所述衬底之间；以及

第二隔离部件，设置在所述第二介电鳍和所述衬底之间，其中，所述第二隔离部件与所述第一隔离部件不同。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中：

所述第一隔离部件包括第一氧化物层和介电衬垫，其中，所述第一氧化物层设置在所述介电衬垫上方；以及

所述第二隔离部件包括第二氧化物层。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，还包括：

第一硅衬垫，设置在所述衬底和所述介电衬垫之间；以及

第二硅衬垫，设置在所述衬底和所述第二氧化物层之间。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：

所述第一介电鳍的相对于所述衬底的顶面的顶面低于所述金属栅极的相对于所述衬底的顶面的顶面；以及

所述第二介电鳍的相对于所述衬底的顶面的顶面高于所述金属栅极的相对于所述衬底的顶面的顶面。

9.一种半导体器件，包括：

鳍部分，设置在第一隔离部件和第二隔离部件之间，其中，所述第一隔离部件与所述第二隔离部件不同；

第一介电鳍和第二介电鳍，所述第一介电鳍设置在所述第一隔离部件上方并且所述第二介电鳍设置在所述第二隔离部件上方，其中，所述第一介电鳍与所述第二介电鳍不同；以及

多栅极器件，具有沟道层、包裹所述沟道层的部分的金属栅极以及源极/漏极部件，其中：

所述沟道层沿第一方向在所述源极/漏极部件之间延伸，并且沿第二方向在所述第一介电鳍和所述第二介电鳍之间延伸，所述第二方向与所述第一方向不同，以及

所述金属栅极设置在所述沟道层和所述第二介电鳍之间并且将所述沟道层和所述第二介电鳍分隔开。

10.一种形成半导体器件的方法，包括：

形成具有沟道层、包裹所述沟道层的部分的金属栅极和位于衬底上方的源极/漏极部件的多栅极器件，其中，所述沟道层沿第一方向在所述源极/漏极部件之间延伸；以及

在所述衬底上方形成第一介电鳍和第二介电鳍，其中：

所述沟道层沿第二方向在所述第一介电鳍和所述第二介电鳍之间延伸，其中，所述第二方向与所述第一方向不同；

所述金属栅极设置在所述沟道层和所述第二介电鳍之间，以及

所述第一介电鳍与所述第二介电鳍不同。