[发明专利]一种钽电容器银浆浸渍方法在审

专利信息
申请号: 202110463274.4 申请日: 2021-04-28
公开(公告)号: CN113178333A 公开(公告)日: 2021-07-27
发明(设计)人: 张志光;蒋松成;龙道学;李前均;张青华;王富权;陈炳 申请(专利权)人: 中国振华(集团)新云电子元器件有限责任公司(国营第四三二六厂)
主分类号: H01G9/042 分类号: H01G9/042;H01G13/04
代理公司: 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 代理人: 李飞
地址: 550000 贵州省*** 国省代码: 贵州;52
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 钽电容 器银浆 浸渍 方法
【说明书】:

本申请涉及导电聚合物片式钽电容器的制备领域,尤其是一种导电聚合物片式钽电容器银浆浸渍方法。所述导电聚合物片式钽电容器银浆浸渍方法包括以下步骤:将乘有黏度为≥10000mpa·s银浆的浸渍槽上下振动;同时将钽电容器悬空浸渍于银浆中,以免在浸渍槽上下振动时受到振动传导。本申请所述的导电聚合物片式钽电容器银浆浸渍方法可以通过一次浸渍、固化就可得到合适厚度的银浆层,并且所得银浆层的厚度均匀一致。

技术领域

本申请涉及钽电容器的制备领域,尤其是一种钽电容器银浆浸渍方法。

背景技术

合适的银浆层厚度是导电聚合物片式钽电容器达到稳定且小的ESR的必要条件,如银浆浸渍固化后得到0.03~0.06mm的银浆层厚度较为合适:若银浆层厚度偏薄,会导致钽电容器的ESR偏大,且一致性较差;若银浆层厚度偏厚,则会浪费银浆材料,增大钽电容器内部钽芯的尺寸,不利于下一道粘接工序的进行。

目前常用导电聚合物片式钽电容器的银浆浸渍方法有两种:①采用黏度为500mpa·s~1000mpa·s的银浆进行浸渍、固化,但该方法由于采用银浆黏度较低,因此虽然可以得到均匀的银浆层,但每次得到的银浆层很薄,仅为0.01mm左右的厚度,因此需要反复浸渍、固化2~4次,才能得到0.03~0.06mm的银浆层厚度,效率相对来说较慢;②采用黏度为10000mpa·s~15000mpa·s的银浆进行浸渍、固化,该方法虽然能够一次工艺得到0.03mm~0.06mm厚度的银浆层,但银浆层厚度却非常不均匀,易导致银浆层ESR一致性较差,并且银浆层厚度不均匀也会导致钽电容呈圆弧状,外观较差,不利于下一道粘接工序进行操作。

发明内容

本申请提供了一种导电聚合物片式钽电容器银浆浸渍方法,该方法可以通过一次浸渍、固化就可得到合适厚度的银浆层,并且所得银浆层的厚度均匀一致。

本申请的实施例是这样实现的:

在第一方面,本申请示例提供了一种导电聚合物片式钽电容器银浆浸渍方法,包括以下步骤:

将乘有黏度为≥10000mpa·s银浆的浸渍槽上下振动;

同时将钽电容器悬空浸渍于银浆中,以免在浸渍槽上下振动时受到振动传导。

通过上述技术方案可以看出,本申请不同于现有技术中银浆浸渍钽电容器的方法,现有技术中通常是将钽芯子通过电阻焊焊接到工艺条后,固定到浸渍装置上,采用工艺条振动的方法进行浸渍;为保证生产效率,通常是将多条(如10~40条)同时进行银浆浸渍,但与此同时,既要保证工艺条的上下浸渍,又要达到一定的振动频率是非常有难度的,因此振动工艺条的装置的振动频率无法达到更高,从而导致振动效果不佳,进一步导致钽电容器上的银浆厚度偏大且厚度均匀性不够,并且由于钽芯子的钽丝插入钽芯内部,因此在振动工艺条时,钽丝插入钽芯位置的根部会产生较大应力,从而导致了钽电容的漏电流增大。而本申请所述浸渍方法是仅将银浆浸渍槽进行上下振动,而钽电容器则是悬空浸渍于银浆中即可,因此钽电容器产生的振动几乎为零,从而避免了上述技术缺陷。

为了更好的解决上述技术缺陷,结合第一方面,在本申请的第一方面的第一种可能的示例中,上述浸渍槽与振动器固定在一起,通过振动器上下振动将振动频率、振动幅度传导至浸渍槽。为了保证振动器与地面完全固定,在本申请一些可能的示例中,将振动器与地面通过地脚螺钉进行固定。

结合第一方面或第一方面的第一种可能的实施方式,在本申请的第一方面的第二种可能的实施方式的一些可选示例中,上述振动频率为25Hz~50Hz。经本申请人研究发现,选用的振动频率越大,银浆层厚度越小,相反厚度越大;但是若振动频率过大则会导致在振动过程中,钽丝插入钽芯的位置有较大机械应力,从而出现钽电容器漏电流增大的现象。因此,为达到更加的振动效果,在本申请一些可能的示例中,上述振动频率的理想值为32Hz~38Hz。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国振华(集团)新云电子元器件有限责任公司(国营第四三二六厂),未经中国振华(集团)新云电子元器件有限责任公司(国营第四三二六厂)许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110463274.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top