[发明专利]高强制造致冷件所用的材料、致冷件晶粒和致冷件

权利要求书

1.高强制造致冷件所用的材料，包括N型半导体材料和P型半导体材料；所述的N型半导体材料按照重量份为含有四碘化碲1～1.5、硒33～35、碲620～650、铋790～800、镁2～4、铝1～2；所述的P型半导体材料按照重量份为含有硒11.5～12.5、铋180～190、锑320～330、碲620～650，锌2～4、碳1～2。

2.根据权利要求1所述的高强制造致冷件所用的材料，其特征是：所述的N型半导体材料按照重量份为含有四碘化碲1.2、硒34、碲635、铋795、镁3、铝1.5。

3.根据权利要求1或2所述的高强制造致冷件所用的材料，其特征是：所述的P型半导体材料按照重量份为含有硒12、铋185、锑325、碲635，锌3、碳1.5。

4.根据权利要求1或2所述的高强制造致冷件所用的材料，其特征是：所述的N型半导体材料按照重量份还含有镍1～2。

5.根据权利要求3所述的高强制造致冷件所用的材料，其特征是：所述的P型半导体材料按照重量份还含有铬1～2。

6.一种致冷件晶粒，其特征是：所述的致冷件晶粒是用上述1-5的材料经过熔化、拉晶、线切割而制成。

7.一种致冷件，所述的致冷件包括位于上下两面的两块陶瓷绝缘板，这两块陶瓷绝缘板分别是上面的上瓷板和下面的下瓷板，上瓷板下面焊接多个导电片，这些导电片是上导电片；所述的下瓷板上面焊接多个导电片，这些导电片是下导电片，还有多个晶粒焊接在上导电片和下导电片之间，所述的晶粒就是上述的晶体线切割而成的；其特征是：所述的致冷件是用权利要求6的致冷件晶粒制成。