[发明专利]超宽带低噪声放大器有效
| 申请号： | 202110462533.1 | 申请日： | 2021-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN113242021B | 公开（公告）日： | 2022-02-25 |
| 发明（设计）人： | 蒋一帆 | 申请（专利权）人： | 南京米乐为微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H03F1/26 | 分类号： | H03F1/26;H03F1/42 |
| 代理公司： | 南京泉为知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32408 | 代理人： | 许丹丹 |
| 地址： | 211100 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 宽带 低噪声放大器 | ||
1.一种超宽带低噪声放大器，其特征在于：包括输入端口、输出端口、以及位于输入端口与输出端口之间依次级联的N级功率放大单元，N≥2；
每一级所述功率放大单元均包括共源共栅晶体管模块；
每一级功率放大单元的共源共栅晶体管模块中均包括M个的PHEMT管，M≥2，其中：第一个PHEMT管的源极接地；第一个PHEMT管的栅极作为该级功率放大单元的第一端；第i个PHEMT管的源极与第i-1个PHEMT管的漏极连接，第i个PHEMT管的源极与第i-1个PHEMT管的漏极的连接点处均端接有匹配网络，2≤i≤M；第M个PHEMT管的漏极作为该级功率放大单元的第二端；
第一级功率放大单元的第一端与输入端口相连，第N级功率放大单元的第二端与输出端口相连；
每一级功率放大单元中，各个所述匹配网络主要包括串联连接的电阻和电容，各个匹配网络的一端接地；各个匹配网络的另一端，和第i个PHEMT管的源极与第i-1个PHEMT管的漏极的连接点相连；
还包括有源反馈网络；所述有源反馈网络包括第N级功率放大单元的共源共栅晶体管模块、电阻R2和电容C2；电阻R2的一端与第N级功率放大单元的第一端相连，电阻R2的另一端与电容C2的一端相连；电容C2的另一端与第N级功率放大单元的第二端相连。
2.如权利要求1所述的超宽带低噪声放大器，其特征在于：还包括电阻R1和电容C1；
所述电阻R1的一端与第一级功率放大单元的第二端相连，电阻R1的另一端与电容C1的一端相连，电容C1的另一端接地。
3.如权利要求1所述的超宽带低噪声放大器，其特征在于：相邻的两级功率放大单元中，前一级功率放大单元的第二端，与后一级功率放大单元的第二端通过漏极微带线相连。
4.如权利要求1所述的超宽带低噪声放大器，其特征在于：相邻的两级功率放大单元中，前一级功率放大单元的第一端，与后一级功率放大单元的第一端通过栅极微带线相连。
5.如权利要求1所述的超宽带低噪声放大器，其特征在于：第一级功率放大单元的第一端通过栅极微带线与输入端口相连，第N级功率放大单元的第二端通过漏极微带线与输出端口相连。
6.如权利要求1所述的超宽带低噪声放大器，其特征在于：还包括电容C0；电容C0的一端接地，另一端与输入端口连接。
7.如权利要求1所述的超宽带低噪声放大器，其特征在于：每一级功率放大单元的共源共栅晶体管模块中的第2至M个PHEMT管的栅极端接射频接地网络。
8.如权利要求7所述的超宽带低噪声放大器，其特征在于：所述射频接地网络为电阻电容串联接地。
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