[发明专利]基于金属与石墨烯的可调控超宽带太赫兹吸收器

权利要求书

1.基于金属与石墨烯的可调控超宽带太赫兹吸收器，其特征在于：包括由下至上依次设置的理想电导体层(1)、介质层和双金属圆环，介质层内设置石墨烯层，双金属圆环由同心的第一金属圆环(2)和第二金属圆环(3)构成。

2.如权利要求1所述的基于金属与石墨烯的可调控超宽带太赫兹吸收器，其特征在于：所述的介质层有第一介质层(4)和第二介质层(5)，第一介质层(4)与理想电导体层(1)相触，第二介质层(5)与双金属圆环相触，石墨烯层位于第一介质层(4)和第二介质层(5)之间。

3.如权利要求1或2所述的基于金属与石墨烯的可调控超宽带太赫兹吸收器，其特征在于：所述的石墨烯层有正方形的第一石墨烯层(6)和四个长条形的第二石墨烯层(7)。

4.如权利要求3所述的基于金属与石墨烯的可调控超宽带太赫兹吸收器，其特征在于：所述的四个长条形的第二石墨烯层(7)的一端均与第一石墨烯层(6)连接，四个长条形的第二石墨烯层(7)的另一端端面均与介质层的外边缘平齐。

5.如权利要求3所述的基于金属与石墨烯的可调控超宽带太赫兹吸收器，其特征在于：所述的理想电导体层(1)的中心、介质层的中心、石墨烯层的中心和双金属圆环的中心位于同一条竖直的直线上。

6.如权利要求1所述的基于金属与石墨烯的可调控超宽带太赫兹吸收器，其特征在于：所述的介质层为二氧化硅或其它在太赫兹波段损耗角正切小于0.01的介质材料。

7.如权利要求1或2所述的基于金属与石墨烯的可调控超宽带太赫兹吸收器，其特征在于：所述的理想电导体层(1)和介质层均为边长L₅＝18～22μm的正方形，介质层的厚度H₁＝8～10μm，石墨烯层的厚度H₃＝0.34～0.5nm。

8.如权利要求7所述的基于金属与石墨烯的可调控超宽带太赫兹吸收器，其特征在于：所述的第二介质层(5)的厚度H₂＝2～4μm。

9.如权利要求1所述的基于金属与石墨烯的可调控超宽带太赫兹吸收器，其特征在于：所述的第一金属圆环(2)的半径R₁＝5.5～7μm，环宽L₃＝0.15～0.25μm，第二金属圆环(3)的半径R₂＝4～5μm，环宽L₃＝0.45～0.55μm，第一金属圆环(2)和第二金属圆环(3)的厚度H₄＝0.05～0.15μm。

10.如权利要求4所述的基于金属与石墨烯的可调控超宽带太赫兹吸收器，其特征在于：所述的第一石墨烯层(6)的边长L₁＝9～11μm，第二石墨烯层(7)的宽度L₂＝1.5～2μm。