[发明专利]一种应用于微弱信号读取的高效纹波抑制电路

权利要求书

1.一种应用于微弱信号读取的高效纹波抑制电路，其特征在于，包括：

纹波电压粗略提取模块(101)，用于将两级模拟前端放大器(105)输出信号中斩波频率附近的纹波分量进行粗略提取，并隔绝低频待读取信号；

纹波电压精细提取模块(102)，用于将所述两级模拟前端放大器(105)输出信号中斩波频率附近的纹波分量进行精细提取，提取所述低频待读取信号以外斩波频率附近的纹波分量和高频干扰；

电压电流转化模块(103)，用于将所述纹波电压精细提取模块(102)提取的斩波频率附近的纹波分量和所述高频干扰转化为补偿电流；

纹波抑制电路斩波模块(104)，用于将所述电压电流转化模块(103)输出的补偿电流调制至低频段，以消除输出纹波，

所述纹波电压粗略提取模块(101)包括第一隔直通交电容C_s1和第二隔直通交电容C_s2，其中，

所述第一隔直通交电容C_s1的第一端连接两级模拟前端放大器中的第二级全差分放大器Gmo的反相输出端，第二端连接所述纹波电压精细提取模块(102)；所述第二隔直通交电容C_s2的第一端连接所述第二级全差分放大器Gmo的同相输出端，第二端连接所述纹波电压精细提取模块(102)；

所述纹波电压精细提取模块(102)包括主提取全差分运算放大器Gm1和反馈跨导电容型滤波器Gm2，其中，

所述主提取全差分运算放大器Gm1的同相输出端连接所述反馈跨导电容型滤波器Gm2的同相输入端和所述电压电流转化模块(103)，所述主提取全差分运算放大器Gm1的反相输出端连接所述反馈跨导电容型滤波器Gm2的反相输入端和所述电压电流转化模块(103)，所述反馈跨导电容型滤波器Gm2的同相输出端连接所述主提取全差分运算放大器Gm1的反相输入端和所述第一隔直通交电容C_s1，所述反馈跨导电容型滤波器Gm2的反相输出端连接所述主提取全差分运算放大器Gm1的同相输入端和所述第二隔直通交电容C_s2。

2.根据权利要求1所述的应用于微弱信号读取的高效纹波抑制电路，其特征在于，所述主提取全差分运算放大器Gm1包括PMOS管MP1、PMOS管MP2、PMOS管MP3、PMOS管MP4、PMOS管MP5、PMOS管MP6、PMOS管MP7、NMOS管MN1、NMOS管MN2、NMOS管MN3和NMOS管MN4，其中，

所述PMOS管MP1的源极、所述PMOS管MP6的源极和所述PMOS管MP7的源极均连接至电源电压V_DD，所述PMOS管MP1的栅极外接偏置电压V_BP1，所述PMOS管MP6的栅极和所述PMOS管MP7的栅极均外接偏置电压V_BP3，所述PMOS管MP1的漏极连接所述PMOS管MP2的源极和所述PMOS管MP3的源极；所述PMOS管MP6的漏极连接所述PMOS管MP4的源极，所述PMOS管MP7的漏极连接所述PMOS管MP5的源极；所述PMOS管MP2的栅极作为所述主提取全差分运算放大器Gm1的反相输入端V1_in-，所述PMOS管MP3的栅极作为所述主提取全差分运算放大器Gm1的同相输入端V1_in+；

所述PMOS管MP2的漏极连接所述NMOS管MN1的漏极和所述NMOS管MN3的源极，所述PMOS管MP3的漏极连接所述NMOS管MN2的漏极和所述NMOS管MN4的源极；所述NMOS管MN1的源极和所述NMOS管MN2的源极均连接接地端GND，所述NMOS管MN1的栅极和所述NMOS管MN2的栅极均外接偏置电压V_BN1；所述NMOS管MN3的栅极和所述NMOS管MN4的栅极均外接偏置电压V_BN2；所述PMOS管MP4的栅极和所述PMOS管MP5的栅极均外接偏置电压V_BP2；所述NMOS管MN3漏极连接所述PMOS管MP4的漏极并作为所述主提取全差分运算放大器Gm1的同相输出端V1_out+，所述NMOS管MN4的漏级连接所述PMOS管MP5的漏极并作为所述主提取全差分运算放大器Gm1的反相输出端V1_out-。