[发明专利]自支撑VO2 有效
| 申请号： | 202110459285.5 | 申请日： | 2021-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN113388812B | 公开（公告）日： | 2022-08-12 |
| 发明（设计）人： | 马赫;张新平 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/28;C23C14/35;C23C14/58;G02F1/00;G01B21/32 |
| 代理公司： | 北京华进京联知识产权代理有限公司 11606 | 代理人： | 王勤思 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 支撑 vo base sub | ||
1.一种自支撑VO2薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
在基底上形成VO2薄膜，所述VO2薄膜厚度为20nm及以上，所述VO2薄膜具有多个纳米孔洞，单位面积内所述纳米孔洞个数为1个/μm2~3个/μm2，所述VO2薄膜中面积为500nm2~2500nm2的所述纳米孔洞的占比为45%及以上；以及
采用刻蚀液将所述基底刻蚀。
2.根据权利要求1所述的自支撑VO2薄膜的制备方法，其特征在于，所述基底为SiO2基底，所述刻蚀液为氢氟酸或含氢氟酸的刻蚀液。
3.根据权利要求1所述的自支撑VO2薄膜的制备方法，其特征在于，所述在基底上形成VO2薄膜的方法为磁控溅射镀膜法。
4.根据权利要求2所述的自支撑VO2薄膜的制备方法，其特征在于，所述在基底上形成VO2薄膜的方法为磁控溅射镀膜法，所述磁控溅射镀膜法制备VO2薄膜的工艺参数包括：以氩气作为溅射气氛，氩氧混合气体作为反应气体，溅射气氛的气流量为17sccm ~22 sccm，反应气体的气流量为28sccm~33 sccm，基底温度为20℃~100℃，溅射功率为55W~60W，溅射气压为0.55Pa~0.65 Pa，溅射时间≥5min。
5.根据权利要求3所述的自支撑VO2薄膜的制备方法，其特征在于，所述磁控溅射法的退火温度为400℃~500℃，退火气压为0.4Pa ~0.5Pa，退火时间为10min~30min。
6.根据权利要求1所述的自支撑VO2薄膜的制备方法，其特征在于，所述VO2薄膜为过渡金属掺杂的VO2薄膜。
7.根据权利要求6所述的自支撑VO2薄膜的制备方法，其特征在于，所述过渡金属为钨。
8.由权利要求1~7任一项所述的自支撑VO2薄膜的制备方法制备得到的VO2薄膜。
9.一种柔性光电子器件，其特征在于，包括如权利要求8所述的VO2薄膜。
10.根据权利要求9所述的柔性光电子器件，其特征在于，柔性光电子器件为柔性光调制器、柔性应变传感器或柔性驱动器中的任意一种。
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