[发明专利]显示面板及其制备方法

权利要求书

1.一种显示面板，其特征在于，包括多条栅极线和多条数据线，所述多条栅极线与所述多条数据线交叉绝缘排布并形成阵列排布的多个子像素，各所述子像素中至少设有第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、像素电容、电源端和发光单元；其中，

所述第一薄膜晶体管包括低温多晶硅薄膜晶体管，所述低温多晶硅薄膜晶体管包括第一栅极、第一源极和第一漏极，所述第一栅极与所述像素电容连接，所述第一源极与所述电源端连接，所述第一漏极与所述发光单元连接；

所述第二薄膜晶体管包括氧化物薄膜晶体管，所述氧化物薄膜晶体管包括第二栅极、第二源极和第二漏极，所述第二栅极与所述栅极线连接，所述第二源极与所述数据线连接，所述第二漏极与所述第一栅极连接；

其中，所述第一源极、第一漏极、第二源极和第二漏极同层设置，且所述第一源极和第一漏极与所述第二源极和第二漏极相互绝缘；所述显示面板还包括衬底，所述氧化物薄膜晶体管包括位于所述衬底上的第二有源层，所述第二栅极设置于所述第二有源层远离所述衬底的一侧，所述第二源极和所述第二漏极设置于所述第二有源层下，所述第二栅极设置于所述第二有源层远离所述第二源极的一侧；所述第二栅极与所述第二源极和第二漏极在所述衬底上的投影存在重叠部分，所述重叠部分的面积大于或者等于阈值；所述像素电容包括第一极板和第二极板，所述第一极板与所述第一栅极同层设置，所述第二极板与所述第二栅极同层设置。

2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述低温多晶硅薄膜晶体管包括位于所述衬底上的第一有源层，所述第一栅极设置于所述第一有源层一侧，所述第一源极和第一漏极设置于所述第一有源层远离所述衬底的一侧，且所述第一源极和第一漏极与所述第一有源层连接。

3.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板包括：

第一绝缘层，设置于所述第一源极和第一漏极上；

第二绝缘层，设置于所述第二源极和第二漏极上；

其中，所述第一绝缘层与所述第二绝缘层分离设置。

4.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括：

第一栅极绝缘层，设置于所述第一有源层远离所述衬底的一侧；

第一栅极层，设置于所述第一栅极绝缘层远离所述第一有源层的一侧，所述第一栅极层包括第一栅极；

层间绝缘层，设置于所述第一栅极层远离所述第一栅极绝缘层的一侧；

源漏极层，设置于所述层间绝缘层远离所述第一栅极层的一侧；

第一钝化层，设置于所述源漏极层远离所述层间绝缘层的一侧；

第二有源层，设置于所述第一钝化层远离所述源漏极层的一侧；

第二栅极绝缘层，设置于所述第二有源层远离所述第一钝化层的一侧；

第二栅极层，设置于所述第二栅极绝缘层远离所述第二有源层的一侧，所述第二栅极层包括第二栅极和栅极线；

第二钝化层，设置于所述第二栅极层远离所述第二栅极绝缘层的一侧；

其中，所述源漏极层包括第一源极、第一漏极、第二源极、第二漏极和数据线。

5.如权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述第一钝化层设置于所述第一源极和第一漏极上，且所述第一钝化层延伸至所述第二源极与第二漏极上。

6.一种显示面板制备方法，其特征在于，制备如权利要求1至5任一所述的显示面板，所述显示面板制备方法包括：

在衬底上形成第一有源层；

在所述第一有源层上形成第一栅极绝缘层；

在所述第一栅极绝缘层上形成第一栅极层；所述第一栅极层包括第一栅极；

在所述第一栅极层上形成层间绝缘层，并刻蚀所述层间绝缘层形成第一过孔；

在所述层间绝缘层上形成源漏极层，并图案化所述源漏极层形成第一源极，第一漏极、第二源极、第二漏极和数据线；所述第一源极和第二漏极通过第一过孔与所述第一有源层连接；

在所述源极层上形成第一钝化层，并刻蚀所述第一钝化层形成第二过孔；

在所述第一钝化层上形成第二有源层；所述第二源极和第二漏极通过所述第二过孔与所述第二有源层连接；

在所述第二有源层上形成第二栅极绝缘层、第二栅极和第二栅极线；

在所述第二栅极上形成第二钝化层，并刻蚀所述第二钝化层形成第三过孔；

在所述第二钝化层上形成像素电极层，并图案化所述像素电极层形成像素电极；所述像素电极通过所述第二过孔与所述第一电极连接。