[发明专利]存储器单元、存储器系统与存储器单元的操作方法

权利要求书

1.一种存储器单元，包括：

一第一层，包括一第一晶体管以及一第二晶体管，其中上述第一晶体管和上述第二晶体管以交叉耦接配置彼此连接，其中上述第一晶体管的一第一漏极结构是电性耦接到上述第二晶体管的一第一栅极结构，其中上述第二晶体管的一第二漏极结构是电性耦接至上述第一晶体管的一第二栅极结构；以及

一第二层，包括电性耦接于上述第一晶体管的上述第一漏极结构的一第一磁穿隧接面元件，以及电性耦接于上述第二晶体管的上述第二漏极结构的一第二磁穿隧接面元件，

其中上述第二层位于上述第一层的上方。

2.如权利要求1所述的存储器单元，其中，上述第一磁穿隧接面元件是设置在上述第一晶体管的上述第一漏极结构的上方，以及其中上述第二磁穿隧接面元件是设置在上述第二晶体管的上述第二漏极结构的上方。

3.如权利要求1所述的存储器单元，其中，上述第一磁穿隧接面元件是电性耦接在上述第一晶体管的上述第一漏极结构和一共同节点之间，以及一参考电压是施加在上述共同节点，其中上述第二磁穿隧接面元件是电性耦接在上述第二晶体管的上述第二漏极结构和上述共同节点之间。

4.如权利要求3所述的存储器单元，其中，上述第一磁穿隧接面元件包括：

一钉扎层结构，电性耦接至上述第一晶体管的上述第一漏极结构；以及

一自由层结构，电性耦接至上述共同节点。

5.如权利要求1所述的存储器单元，其中，上述第一层还包括一第三晶体管和一第四晶体管，其中上述第三晶体管是电性耦接在一第一位元线和上述第一晶体管的上述第一漏极结构之间，以及上述第四晶体管是电性耦接在一第二位元线和上述第二晶体管的上述第二漏极结构之间。

6.如权利要求5所述的存储器单元，其中，上述第一晶体管和上述第三晶体管共享上述第一漏极结构，以及上述第二晶体管与上述第四晶体管共享上述第二漏极结构。

7.一种存储器系统，包括：

一存储器单元，包括：

交叉耦接的多个晶体管，耦接于一第一节点以及一第二节点；

一第一磁穿隧接面元件，耦接于一共同节点以及上述第一节点之间；以及

一第二磁穿隧接面元件，耦接于上述共同节点以及上述第二节点之间，其中上述第一磁穿隧接面元件是设置在一部分的交叉耦接的上述晶体管的上方，以及上述第二磁穿隧接面元件是设置在另一部分的交叉耦接的上述晶体管的上方；以及

一存储器控制器，耦接于上述存储器单元，其中上述存储器控制器通过以下方式对存储器单元进行编程：

施加一第一电压至上述第一节点；

在上述第一电压施加至上述第一节点时，施加一第二电压至上述第二节点；以及

在上述第一电压施加至上述第一节点且上述第二电压施加至上述第二节点时，施加一参考电压至上述共同节点。

8.如权利要求7所述的存储器系统，其中，上述第一磁穿隧接面元件是在交叉耦接的上述晶体管的一第一晶体管的一第一漏极结构上方，以及上述第二磁穿隧接面元件是在交叉耦接的上述晶体管的一第二晶体管的一第二漏极结构上方。

9.如权利要求7所述的存储器系统，其中，上述第一磁穿隧接面元件包括：

一第一钉扎层结构，电性耦接至交叉耦接的上述晶体管的一第一晶体管的一第一漏极结构；以及

一第一自由层结构，电性耦接至上述共同节点，

其中上述第二磁穿隧接面元件包括：

一第二钉扎层结构，电性耦接至交叉耦接的上述晶体管的一第二晶体管的一第二漏极结构；以及

一第二自由层结构，电性耦接至上述共同节点。

10.一种存储器单元的操作方法，包括：

通过一存储器控制器，施加一第一电压至一存储器单元的一第一磁穿隧接面元件的一第一钉扎层结构；

通过上述存储器控制器，在上述第一电压被施加至上述第一磁穿隧接面元件的上述第一钉扎层结构时，施加一第二电压至上述存储器单元的一第二磁穿隧接面元件的一第二钉扎层结构，其中上述第一钉扎层结构与上述第二钉扎层结构耦接于交叉耦接的多个晶体管；以及

通过上述存储器控制器，在上述第一电压被施加至上述第一磁穿隧接面元件的上述第一钉扎层结构以及上述第二电压被施加至上述第二磁穿隧接面元件的上述第二钉扎层结构时，施加一参考电压至上述第一磁穿隧接面元件的一第一自由层结构以及上述第二磁穿隧接面元件的一第二自由层结构。