[发明专利]一种封装结构的制作方法有效
申请号: | 202110455746.1 | 申请日: | 2021-04-26 |
公开(公告)号: | CN113270325B | 公开(公告)日: | 2023-03-31 |
发明(设计)人: | 徐健;王德信;曹玉媛;王伟;李成祥 | 申请(专利权)人: | 青岛歌尔智能传感器有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/56;H01L21/60;H01L23/367;H01L23/31 |
代理公司: | 北京博雅睿泉专利代理事务所(特殊普通合伙) 11442 | 代理人: | 柳岩 |
地址: | 266100 山东省*** | 国省代码: | 山东;37 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 封装 结构 制作方法 | ||
1.一种封装结构的制作方法,其特征在于,将多个第一芯片间隔设置于散热板上,每个所述第一芯片上远离所述散热板的一侧设置第一凸点,将所述第一芯片塑封于所述散热板上形成第一封装层,所述第一凸点裸露于所述第一封装层的表面,并在每个所述第一凸点上设置RDL层;
在所述第一封装层上设置第二芯片和转接板,所述第二芯片朝向所述RDL层一侧设置第二凸点,所述转接板上朝向所述RDL层的一侧设置第三凸点,所述第二凸点和所述第三凸点分别连接于所述RDL层上,所述第一芯片和所述第二芯片通过所述RDL层与所述转接板信号连接;
将所述第二芯片和所述转接板塑封于所述第一封装层上以形成第二封装层,所述转接板远离所述RDL层的一侧裸露于所述第二封装层的表面,并在所述转接板远离所述RDL层的一侧设置有第四凸点,所述第二芯片被所述第二封装层包裹;
所述转接板和所述第二芯片工作过程中产生的热量,能够先分别通过所述第二凸点和所述第三凸点传递至所述RDL层上,再通过所述第一凸点和所述第一芯片传递至所述散热板上,以能够将热量通过所述散热板散发出所述封装结构之外。
2.根据权利要求1所述的一种封装结构的制作方法,其特征在于,形成所述第一封装层时,所述第一凸点被所述第一封装层包裹,研磨所述第一封装层远离所述散热板的一侧,至所述第一凸点裸露于所述第一封装层的表面。
3.根据权利要求1所述的一种封装结构的制作方法,其特征在于,形成所述第二封装层时,所述转接板被所述第二封装层所完全包裹,研磨所述第二封装层远离所述散热板的一侧,至所述转接板远离所述散热板的一侧裸露于所述第二封装层的表面。
4.根据权利要求3所述的一种封装结构的制作方法,其特征在于,所述转接板裸露于所述第二封装层的表面时,所述第二芯片均被所述第二封装层包裹。
5.根据权利要求1所述的一种封装结构的制作方法,其特征在于,所述第一芯片上设置至少两个所述第一凸点,所述第二芯片上设置至少两个所述第二凸点,每个所述第一凸点上均设置有所述RDL层,每个所述RDL层均与所述转接板信号连接,所述第二芯片上的两个所述第二凸点分别和两个不同的所述第一芯片上的任一所述RDL层相连。
6.根据权利要求1所述的一种封装结构的制作方法,其特征在于,所述第一芯片通过焊接固定于所述散热板上。
7.根据权利要求1所述的一种封装结构的制作方法,其特征在于,所述第一凸点、所述第二凸点、所述第三凸点和所述第四凸点由金、锡、银、铝或铜中的任意一种或几种导电材料构成。
8.根据权利要求1所述的一种封装结构的制作方法,其特征在于,第一封装层内,相邻的所述第一芯片之间填充有塑封材料;
第二封装层内,相邻的所述第二芯片之间填充有塑封材料。
9.根据权利要求1所述的一种封装结构的制作方法,其特征在于,所述第一封装层和所述第二封装层塑封的材料包括环氧基树脂、液体型热固环氧树脂及塑性化合物中的任意一种或几种。
10.根据权利要求2或4任一所述的一种封装结构的制作方法,其特征在于,研磨所述第一封装层或所述第二封装层时采用化学机械研磨。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于青岛歌尔智能传感器有限公司,未经青岛歌尔智能传感器有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110455746.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造