[发明专利]一种晶圆电镀方法及晶圆电镀夹具

权利要求书

1.一种晶圆电镀方法，其特征在于，包括依次完成的钝化层(23)处理、种子层(22)生长、BPSG生长、电极窗口制作、使用晶圆电镀夹具(1)完整均匀的晶圆Ag电镀、去除BPSG、刻蚀晶圆金属Ag、背面电极生长八个步骤。

2.如权利要求1所述的晶圆电镀方法，其特征在于：所述步骤一，钝化层(23)处理：使用SiO₂或Si₃N₄材料对晶圆(2)的半导体衬底(24)进行钝化层(23)生长，光刻、刻蚀出电极窗口。

3.如权利要求1所述的晶圆电镀方法，其特征在于：所述步骤二，种子层(22)生长：使用金属Ag采用溅射或蒸发的方式在晶圆(2)2正面进行种子层(22)生长，形成种子金属Ag，种子金属Ag的厚度为0.01μm～5μm。

4.如权利要求1所述的晶圆电镀方法，其特征在于：所述步骤三，BPSG生长：在晶圆(2)正面和背面采用PECVD进行BPSG生长，BPSG的厚度为0.1μm～5μm。

5.如权利要求4所述的晶圆电镀方法，其特征在于：所述步骤四，电极窗口制作：采用1:20的氢氟酸溶液刻蚀晶圆(2)正面上的BPSG20～200s，完成晶圆(2)正面金属Ag种子层与导电簧片(14)接触窗口制作。

6.如权利要求1所述的晶圆电镀方法，其特征在于：所述步骤五，晶圆Ag电镀：电镀夹具(1)通过夹具固定孔(16)与电镀设备进行固定，晶圆(2)放在晶圆电镀夹具(1)内的平面卡槽(12)被多个环形分布的导电簧片(14)压紧，使用K[Ag(CN)₂]电镀液，通入5min～300min的1mA～10A电流进行电镀，电镀电流进入导电金属环(13)后经多个间隔分布的导电簧片(14)均匀流至晶圆(2)表面上，形成完成和均匀的厚银金属层(21)。

7.如权利要求1所述的晶圆电镀方法，其特征在于：所述步骤六，去除BPSG：采用1:20的氢氟酸溶液刻蚀20～200s，去除晶圆(2)表面和背面的BPSG。

8.如权利要求1所述的晶圆电镀方法，其特征在于：所述步骤七，刻蚀晶圆金属Ag：刻蚀晶圆(2)表面钝化层(23)正上方的种子层(22)金属Ag。

9.如权利要求1所述的晶圆电镀方法，其特征在于：所述步骤八，背面电极生长：采用Ti或Ni或Ag在晶圆(2)的半导体衬底(24)的背面生长形成背面电极(25)；完成后，形成一个以金属Ti或Ni或Ag为背面电极(25)，背面电极(25)上以硅或碳化硅等为半导体衬底(24)，在半导体衬底(24)中部、两侧对应形成金属银的种子层(22)、SiO₂或Si₃N₄的钝化层(23)，在金属Ag的种子层(22)上形成银金属的厚银金属层(21)的一种二极管芯片结构。

10.一种如权利要求1至9任意一项所述的晶圆电镀夹具(1)，包括：电镀夹具底板(11)，电镀夹具底板(11)中部设有用于与晶圆(2)进行限位卡合的平面卡槽(12)；电镀夹具底板(11)上固定有能导电的导电金属环(13)，平面卡槽(12)位于导电金属环(13)圈内；导电金属环(13)上固定有多个间隔分布的导电簧片(14)，导电簧片(14)一端与导电金属环(13)固定，导电簧片(14)另一端位于平面卡槽(12)的上方能与晶圆(2)压住接触，电镀电流进入导电金属环(13)后经多个间隔分布的导电簧片(14)均匀流至晶圆(2)表面上；所述多个导电簧片(14)沿着导电金属环(13)外周环形分布。