[发明专利]一种驱动控制方法及其电路

权利要求书

1.一种驱动控制方法，其特征在于，包括如下步骤：

边沿调制步骤，将输入信号PWM的上升沿调制成一个固定脉宽的正脉冲，并且在输入信号PWM为持续高电平的状态下，以一定周期产生多个连续的正脉冲；将输入信号PWM的下降沿调制成一个固定脉宽的负脉冲，并且在输入信号PWM为持续低电平的状态下，以一定周期产生多个连续的负脉冲；连续正脉冲和连续负脉冲的宽度及周期按需调整；

传输步骤，通过隔离变压器将边沿调制步骤产生的正负脉冲以隔离的形式从原边传递到副边；

储能步骤，将隔离变压器传递至副边的正负脉冲的能量储存起来，用以给后续步骤供电；

逻辑处理步骤，将隔离变压器传递至副边的正负脉冲解调为与输入信号相同的驱动信号，具体为，将隔离变压器传递至副边的第一个正脉冲解调为驱动信号的上升沿并保持高电平，在有多个连续正脉冲时，维持高电平；将隔离变压器传递至副边的第一个负脉冲解调为驱动信号的下降沿并保持低电平或者负电平，在有多个连续负脉冲时，维持低电平或者负电平；

驱动步骤，将逻辑处理步骤解调出来的驱动信号放大，并在逻辑处理步骤输出高电平时，将储能步骤的能量传递至被驱动的功率半导体器件的栅极以打开被驱动的功率半导体器件，在逻辑处理步骤输出低电平或者负电平时，终止储能步骤的能量向功率半导体器件的栅极传递，并将功率半导体器件的栅极连接至副边的地SGND以关断被驱动的功率半导体器件。

2.一种驱动控制电路，运用权利要求1所述控制方法，其特征在于：包括边沿调制电路、隔离变压器、储能电路、逻辑电路和驱动电路；边沿调制电路用于实现边沿调制步骤，储能电路用于实现储能步骤，逻辑电路用于实现逻辑处理步骤，驱动电路用于实现驱动步骤；边沿调制电路的第一输入端接电压Vgs，边沿调制电路的第二输入端接输入信号PWM，边沿调制电路地端接地GND，边沿调制电路的第一输出端接隔离变压器原边绕组的同名端，边沿调制电路的第二输出端接隔离变压器原边绕组的异名端；隔离变压器副边绕组的同名端连接到储能电路的输入端和逻辑电路的第一输入端；储能电路的输出端连接到逻辑电路的第二输入端和驱动电路的第一输入端；逻辑电路的输出端连接到驱动电路的第二输入端；驱动电路的输出端作为驱动输出端口连接到被驱动功率半导体器件的栅极；隔离变压器副边绕组的异名端同时连接到储能电路的地端、逻辑电路的地端和驱动电路的地端，作为驱动输出地SGND连接到被驱动功率半导体器件的源极。

3.根据权利要求2所述的驱动控制电路，其特征在于：所述储能电路包含二极管D1和电容C1，隔离变压器副边绕组的同名端与二极管D1的阳极相连，二极管D1的阴极与电容C1的一端相连，作为储能电路的输出端；电容C1的另一端连接至隔离变压器副边绕组的异名端，同时接地SGND；逻辑电路包含二极管D2、二极管D3、开关管S1、开关管S2、电阻R1、电阻R2、稳压管Z1和稳压管Z2；其中开关管S1为P沟道MOS管，开关管S2为N沟道MOS管；二极管D2的阳极连接至二极管D3的阴极，作为逻辑电路的输入端连接至隔离变压器副边绕组的同名端；二极管D2的阴极连接至开关管S1的源极；二极管D3的阳极连接至开关管S2的源极；开关管S2的漏极连接至电阻R1的一端，电阻R1的另一端连接至开关管S1的漏极同时连接至稳压管Z1的阳极作为逻辑电路的输出端；稳压管Z1的阴极连接至稳压管Z2的阴极；开关管S2的栅极连接至电阻R2的一端，电阻R2的另一端同时连接至隔离变压器副边绕组的异名端、开关管S1的栅极和稳压管Z2的阳极，还连接至地SGND；驱动电路，包含开关管S3和开关管S4，其中开关管S3为N沟道MOS管，开关管S4为P沟道MOS管；开关管S3的漏极作为驱动电路的第一输入端连接至储能电路的输出端；开关管S3的源极连接至开关管S4的源极作为驱动电路的输出端连接至被驱动功率半导体器件的栅极；开关管S3的栅极连接至开关管S4的栅极作为驱动电路的第二输入端，连接至逻辑电路的输出端；开关管S4的漏极连接至副边接地SGND同时连接被驱动功率半导体器件的源极。