[发明专利]一种量子点OLED发光器件、显示装置及其制备方法

权利要求书

1.一种量子点OLED发光器件，其特征在于，自下而上依次包括：

一个硅基板；

一个金属阳极层；

一个由多个OLED有机功能层组成的蓝光OLED结构层，包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层；

一个半透明阴极层；

一个量子点层；

一个彩色过滤层；以及

一个玻璃盖板；

在所述量子点层和彩色过滤层的上下层面均设有一个密封薄层。

2.根据权利要求1所述的一种量子点OLED发光器件，其特征在于，所述量子点层包括特定比例的红色量子点材料和绿色量子点材料，所述红色量子点材料和绿色量子点材料的比例为1:1。

3.根据权利要求2所述的一种量子点OLED发光器件，其特征在于，所述量子点层的量子点材料为ZnCdSe₂，CdSe，CdTe，CuInS₂，ZnCuInS₃中的一种或多种，厚度为0.2-2μm。

4.根据权利要求1所述的一种量子点OLED发光器件，其特征在于，所述密封薄层的材料为Al₂O₃、TiO₂、SiN、SiO₂中的任意一种或者组合，所述密封薄层的厚度为10～200nm；

所述空穴注入层材料为CuPc、CuSCN、MoO3、HATCN、1-TNATA、2-TNATA、m-MTDATA、TCNQ、F4TCNQ中的任意一种，厚度为10-50nm；

所述空穴传输层材料为TPD、NPB、TCTA、BTPD、DCDPA中的任意一种，厚度为10-50nm；

所述发光层采用蓝色磷光体系，掺杂材料为Flrpic、Flr6中的任意一种，主体材料为CBP、mCP、DCB、PPO1、TPCz、UGH1中的任意一种，所述掺杂材料的占比为1％-15％；

所述电子传输层为Bphen、TBPi、TAZ、PBD中的任意一种，厚度为10-30nm；

所述电子注入层材料为LiF、Li2O、Li、Alq3中的任意一种，厚度为1-10nm。

5.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-4任意一项权利要求所述的量子点OLED发光器件。

6.一种量子点OLED发光器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1在硅基板上制备阳极；

S2在所述阳极上蒸镀蓝光OLED结构层；其中，所述蓝光OLED结构层包括空穴注入层、空穴传输层、蓝光发光层、电子传输层、电子注入层；

S3在所述电子注入层制备半透明阴极层；

S4在所述阴极层上采用原子层沉积或磁控溅射的方法制备第一密封层；

S5在所述第一密封层上采用旋涂成膜工艺制备量子点薄膜层；

S6在所述量子点薄膜层上采用原子层沉积或磁控溅射的方法制备第二密封层；

S7在所述第二密封层上采用彩色光刻胶制作RGB彩色滤光层；

S8在所述滤光层上采用原子层沉积或磁控溅射的方法制备第三密封层；

S9在所述第三密封层上贴盖玻璃盖板，即得量子点OLED发光器件。

7.根据权利要求6所述的一种量子点OLED发光器件的制作方法，其特征在于，所述阴极层为双层复合结构，先使用热蒸镀工艺制备镁银比例为10：1的金属层，厚度为5-20nm；再使用磁控溅射工艺，在镁银层上制备ITO层，厚度为30-40nm。

8.根据权利要求6所述的一种量子点OLED发光器件的制作方法，其特征在于，所述量子点薄膜层包括特定比例的红色量子点材料和绿色量子点材料，所述红色量子点材料和绿色量子点材料的比例为1:1；

所述量子点薄膜层的量子点材料为ZnCdSe₂，CdSe，CdTe，CuInS₂，ZnCuInS₃中的一种或多种，厚度为0.2-2μm。