[发明专利]驱动晶体管的阈值电压和本征导电因子补偿方法有效
申请号: | 202110452181.1 | 申请日: | 2021-04-26 |
公开(公告)号: | CN113112956B | 公开(公告)日: | 2022-08-05 |
发明(设计)人: | 王增;王振岭 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | G09G3/3208 | 分类号: | G09G3/3208;G09G3/3258;G09G3/3291;G09G3/3233 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 远明 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 驱动 晶体管 阈值 电压 导电 因子 补偿 方法 | ||
1.一种驱动晶体管的阈值电压补偿方法,其特征在于,包括:
在每帧图像的场消隐区间对所述驱动晶体管的阈值电压进行外部侦测,以获取所述驱动晶体管的实时阈值电压;
在所述每帧图像的下一帧图像的显示区间,根据所述实时阈值电压对所述驱动晶体管的阈值电压进行实时补偿;
若每行像素包括周期排列的第一子像素、第二子像素和第三子像素,每列像素的所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素分别与同一根感测线连接,所述阈值电压补偿方法还包括:
在每连续四帧图像的第一帧图像的场消隐区间侦测任意一行的第一子像素的驱动晶体管的阈值电压;
在所述每连续四帧图像的第二帧图像的显示区间对所述任意一行的第一子像素的驱动晶体管的阈值电压进行实时补偿,并在所述第二帧图像的场消隐区间对所述任意一行的第二子像素的驱动晶体管的阈值电压进行外部侦测;
在所述每连续四帧图像的第三帧图像的显示区间对所述任意一行的第二子像素的驱动晶体管的阈值电压进行实时补偿,并在所述第三帧图像的场消隐区间对所述任意一行的第三子像素的驱动晶体管的阈值电压进行外部侦测;
在所述每连续四帧图像的第四帧图像的显示区间对所述任意一行的第三子像素的驱动晶体管的阈值电压进行实时补偿。
2.如权利要求1所述的驱动晶体管的阈值电压补偿方法,其特征在于,所述驱动晶体管的栅极接入数据电压,所述驱动晶体管的源极接入感测电压,所述驱动晶体管的漏极接入电源电压;
对所述驱动晶体管的阈值电压进行外部侦测,以获取所述驱动晶体管的实时阈值电压,具体包括:
向所述驱动晶体管的栅极输入所述数据电压,向所述驱动晶体管的源极输入感测电压,以使所述驱动晶体管导通并对存储电容进行充电;
当所述驱动晶体管截止时,获取所述驱动晶体管的栅极和源极的电位,并根据所述驱动晶体管的栅极与源极之间的电位差获取所述实时阈值电压。
3.如权利要求2所述的驱动晶体管的阈值电压补偿方法,根据所述实时阈值电压对所述驱动晶体管的阈值电压进行实时补偿,具体包括:
根据所述实时阈值电压对所述数据电压进行改写并输入至所述驱动晶体管的栅极,以对所述驱动晶体管的阈值电压进行实时补偿,其中,所述每帧图像的数据电压为所述每帧图像的上一帧图像的显示区间根据所述实时阈值电压进行改写后的数据电压。
4.一种驱动晶体管的本征导电因子补偿方法,其特征在于,包括:
在每帧图像的场消隐区间对所述驱动晶体管的本征导电因子进行外部侦测,以获取所述驱动晶体管的实时本征导电因子;
在所述每帧图像的下一帧图像的显示区间,根据所述实时本征导电因子对所述驱动晶体管的本征导电因子进行实时补偿;
若每行像素包括周期排列的第一子像素、第二子像素和第三子像素,每列像素的所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素分别与同一根感测线连接,所述本征导电因子补偿方法还包括:
在每连续四帧图像的第一帧图像的场消隐区间侦测任意一行的第一子像素的驱动晶体管的本征导电因子;
在所述每连续四帧图像的第二帧图像的显示区间对所述任意一行的第一子像素的驱动晶体管的本征导电因子进行实时补偿,并在所述第二帧图像的场消隐区间对所述任意一行的第二子像素的驱动晶体管的本征导电因子进行外部侦测;
在所述每连续四帧图像的第三帧图像的显示区间对所述任意一行的第二子像素的驱动晶体管的本征导电因子进行实时补偿,并在所述第三帧图像的场消隐区间对所述任意一行的第三子像素的驱动晶体管的本征导电因子进行外部侦测;
在所述每连续四帧图像的第四帧图像的显示区间对所述任意一行的第三子像素的驱动晶体管的本征导电因子进行实时补偿。
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