[发明专利]一种掩埋异质结的制备方法

权利要求书

1.一种掩埋异质结的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1，在外延层表面制作光栅层；

S2，再于所述光栅层上生长InP盖层，以将所述光栅层表面的凹槽填平，得到平整的表面；

S3，接着于所述InP盖层上生长牺牲层以及非晶态半导体材料层，以得到过渡结构；

S4，继续在所述过渡结构上生长SiO₂/SiN_x掩膜层，然后对所述过渡结构进行刻蚀形成台状结构；

S5，待所述台状结构形成完毕后，去掉所述SiO₂/SiN_x掩膜层，并以所述非晶态半导体材料层作为当前的掩膜层继续在所述台状结构上依次生长P-InP层和N-InP层以获得电流限制层，所述非晶态半导体材料层为AlGaInAs材料、InAlAs材料、InGaAs材料或InP材料氧化后的材料层。

2.如权利要求1所述的一种掩埋异质结的制备方法，其特征在于：所述非晶态半导体材料层为AlGaInAs材料、InAlAs材料、InGaAs材料或InP材料加入含氧气氛生成的材料层。

3.如权利要求1所述的一种掩埋异质结的制备方法，其特征在于：所述非晶态半导体材料层为AlGaInAs材料、InAlAs材料、InGaAs材料或InP材料暴露在含氧环境中进行氧化形成的材料层。

4.如权利要求1所述的一种掩埋异质结的制备方法，其特征在于：所述外延层包括衬底以及于所述衬底上制作的InP缓冲层，所述光栅层生长在所述InP缓冲层上方。

5.如权利要求4所述的一种掩埋异质结的制备方法，其特征在于：所述InP缓冲层和所述光栅层之间生长有有源层和InP层。

6.如权利要求4所述的一种掩埋异质结的制备方法，其特征在于：于所述光栅层上依次生长InP层和有源层。

7.如权利要求5或6所述的一种掩埋异质结的制备方法，其特征在于：有源层、InP层、牺牲层和非晶态半导体材料层的生长方法均采用金属有机化学气相沉积法。

8.如权利要求1所述的一种掩埋异质结的制备方法，其特征在于：在所述S1步骤中，采用全息与刻蚀工艺或者电子束与刻蚀工艺在外延层表面制作光栅层。

9.如权利要求1所述的一种掩埋异质结的制备方法，其特征在于：在所述S2步骤中和所述S5步骤中，采用金属有机化学气相沉积生长所述生长InP盖层、所述P-InP层和N-InP层。

10.如权利要求1所述的一种掩埋异质结的制备方法，其特征在于：在所述S4步骤中，采用光刻工艺将图形转移到所述SiO₂/SiN_x掩膜层，然后再采用干法与湿法相结合刻蚀工艺形成所述台状结构。