[发明专利]一种新型载片式内匹配功率放大器

权利要求书

1.一种新型载片式内匹配功率放大器，其特征是所述载片式内匹配功率放大器由两路合并输出，其结构包括两个GaN功率管、两组内匹配无源输入电路和两组内匹配无源输出电路，每组内匹配无源输入电路包含阻抗匹配电路、栅极偏置电路、隔离电阻，每组内匹配无源输出电路包含阻抗匹配电路、漏极偏置电路、隔离电阻；所述GaN功率管、内匹配无源输入电路、内匹配无源输出电路均集成在同一块载片上，通过金丝进行各元器件的互连。

2.根据权利要求1所述的一种新型载片式内匹配功率放大器，其特征是所述内匹配无源输入电路一端串联C2电容，通过金丝连接在输入端口，另一端通过金丝并联匹配C6a接地电容、C6b接地电容，同时通过金丝串联接在GaN功率管管芯输入端。

3.根据权利要求1所述的一种新型载片式内匹配功率放大器，其特征是所述内匹配无源输出电路一端串联C5电容，通过金丝连接在输出端口，另一端通过金丝并联匹配C7a接地电容、C7b接地电容，同时通过金丝串联接在在GaN功率管管芯输出端。

4.根据权利要求1所述的一种新型载片式内匹配功率放大器，其特征是所述阻抗匹配电路一端连接电路输入输出端，另一端通过金丝连接GaN功率管；内匹配无源输入电路串联R2隔离电阻，内匹配无源输出电路串联R3隔离电阻，所述R2隔离电阻、R3隔离电阻为薄膜电阻，将上下两个功率管隔离；所述的栅极偏置电路串联薄膜电阻，增加电路的低频稳定，并联接地电容，过滤电源杂波。

5.根据权利要求1所述的一种新型载片式内匹配功率放大器，其特征是所述偏置电路为四分之一波长扼流线，通过金丝与匹配电路相连，同时通过金丝并联C1接地电容、C3接地电容、C4接地电容。

6.根据权利要求5所述的一种新型载片式内匹配功率放大器，其特征是所述C1接地电容、C3接地电容、C4接地电容连接点尽量靠近输入输出端电容。

7.根据权利要求1所述的一种新型载片式内匹配功率放大器，其特征是所述载片为钼铜载片。

8.根据权利要求1所述的一种新型载片式内匹配功率放大器，其特征是所述GaN功率管为GaN HEMT管芯。

9.根据权利要求1所述的一种新型载片式内匹配功率放大器，其特征是所述隔离电阻、阻抗匹配电路、栅极偏置电路均制作在陶瓷基板上，所述陶瓷基板为99.6%氧化铝陶瓷。

10.根据权利要求1所述的一种新型载片式内匹配功率放大器，其特征是GaN功率管为GaN HEMT管芯，两个GaN功率管输入端通过金丝与C6a多电极型单层接地电容、C6b多电极型单层接地电容相连，再从C6a多电极型单层电容器引出金丝与内匹配无源输入电路（101）连接，内匹配无源输入电路（101）制作在陶瓷基板上，包括C2电容、带有阻抗变换功能的合成网络和R2隔离电阻，R2隔离电阻是基于陶瓷板上的薄膜电阻；内匹配无源输入电路通过C2电容引出金丝与输入端口连接；同理，GaN HEMT管芯，输出端通过金丝与C7a多电极型单层接地电容、C7b多电极型单层接地电容相连，再引出金丝与内匹配无源输出电路（102）连接，内匹配无源输出电路（102）制作在陶瓷基板上，包括C5电容、带有阻抗变换功能的合成网络和R3隔离电阻，R3隔离电阻是基于陶瓷板上的薄膜电阻；外围栅极偏置电路通过串联R1电阻增加电路低频稳定性，将栅极偏置电路一端通过金丝并联C1接地电容后，与栅极电源连接，另一端通过金丝连接在内匹配无源输入电路（101）上；漏极偏置电路一端并联C3接地电容、C4接地电容后，漏极电源连接，另一端连接在内匹配无源输出电路（102）上。