[发明专利]显示基板及其制作方法、显示装置在审
申请号: | 202110450927.5 | 申请日: | 2021-04-25 |
公开(公告)号: | CN113189820A | 公开(公告)日: | 2021-07-30 |
发明(设计)人: | 栗峰;邹佳滨;闫岩;马禹;郭晖 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1343 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 魏艳新;姜春咸 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 及其 制作方法 显示装置 | ||
1.一种显示基板,具有显示区和周边区,其特征在于,所述显示基板包括:
基底;
位于所述周边区的多个信号传输件,多个所述信号传输件设置在所述基底上;
绝缘层,设置在所述信号传输件远离所述基底的一侧;
多个连接件,设置在所述绝缘层远离所述基底的一侧,每个所述连接件至少对应一个所述信号传输件,并通过贯穿所述绝缘层的第一过孔与相应的信号传输件连接;
其中,每个所述连接件包括位于所述第一过孔底部的第一连接部,至少一个所述第一连接部背离所述基底的表面为第一台阶面,所述第一台阶面包括第一表面和第二表面,所述第一表面到所述基底的距离大于所述第二表面到所述基底的距离。
2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述第一过孔在所述基底上的正投影的一部分位于所述信号传输件在所述基底上的正投影之外;
所述第一表面在所述基底上的正投影与所述信号传输件在所述基底上的正投影交叠,所述第二表面在所述基底上的正投影位于所述信号传输件在所述基底上的正投影之外。
3.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述第一表面与所述第二表面的面积之比为:1/20~4/5。
4.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述显示基板还包括:设置在所述显示区的公共电极和栅线,所述公共电极和所述栅线被所述绝缘层间隔开;
每个所述信号传输件与所述栅线同层设置,所述连接件与所述公共电极同层设置。
5.根据权利要求4所述的显示基板,其特征在于,多个所述信号传输件包括至少一个第一信号传输件,每个所述第一信号传输件用作一条公共信号线,与所述公共信号线连接的所述连接件还与所述公共电极连接。
6.根据权利要求1至5中任意一项所述的显示基板,其特征在于,每个所述第一连接部背离所述基底的表面均为所述第一台阶面。
7.根据权利要求1至5中任意一项所述的显示基板,其特征在于,所述绝缘层包括:栅绝缘层和钝化层,所述钝化层位于所述栅绝缘层远离所述基底的一侧;
所述显示基板还包括位于所述周边区的多个导电件,多个所述导电件位于所述钝化层与所述栅绝缘层之间,所述钝化层上对应于每个所述导电件的位置设置有第二过孔;
至少一个所述连接件还包括:位于所述第二过孔底部、且与所述导电件连接的第二连接部,至少一个所述第二连接部背离所述基底的表面为第二台阶面,所述第二台阶面包括第三表面和第四表面;所述第三表面到所述基底的距离大于所述第四表面到所述基底的距离。
8.根据权利要求7所述的显示基板,其特征在于,所述第二过孔在所述基底上的正投影的一部分位于所述导电件在所述基底上的正投影之外,
所述第三表面在所述基底上的正投影与所述导电件在所述基底上的正投影交叠,所述第四表面在所述基底上的正投影位于所述导电件在所述基底上的正投影之外。
9.根据权利要求8所述的显示基板,其特征在于,多个所述信号传输件包括:多个第二信号传输件,每个所述第二信号传输件用作一条扇出线,所述扇出线用于连接数据驱动芯片;
多个所述导电件包括:多个第一导电件,每个所述第一导电件用作一个数据线引出部;
多个所述连接件包括多个第一连接件,所述数据线引出部和所述扇出线均与所述第一连接件一一对应,每个所述第一连接件包括所述第一连接部和所述第二连接部,每个所述第一连接件的第一连接部位于所述扇出线所对应的第一过孔中,并与相应的扇出线连接;每个所述第一连接件的第二连接部位于所述数据线引出部所对应的第二过孔中,并与相应的数据线引出部连接,每个所述第一连接件的第二连接部均具有所述第二台阶面。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110450927.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。