[发明专利]一种MWT异质结太阳能电池及其制备方法

权利要求书

1.一种MWT异质结电池结构，其特征在于，所述电池结构依次包括正面导电TCO层、正面N型掺杂的非晶硅层、正面本征非晶硅层、单晶硅基底、背面本征非晶硅层、背面P型掺杂非晶硅层、背面TCO导电层，正面为绒面结构，背面为抛光面；

所述电池结构上开设孔，所述孔位置为电极点，包含正面电极和负面电极；所述正面电极为丝印低温银浆层，通过制绒前在硅片上制备的孔洞，汇聚贯穿到背面，背面电极为丝印银电极。

2.根据权利要求1所述的一种MWT异质结电池结构，其特征在于，所述单晶硅基底为N型或者P型硅片。

3.根据权利要求2所述的一种MWT异质结电池结构，其特征在于，所述背面电极包含正电极、负电极，背面的正负电极之间设有绝缘隔离。

4.根据权利要求3所述的一种MWT异质结电池结构，其特征在于，所述孔为直径0.2mm的圆形孔洞。

5.MWT异质结电池制备方法，其特征在于，所述制备方法步骤如下：

步骤一，使用单晶或多晶或铸锭单晶硅片作为衬底；

步骤二，按照N×N孔洞点阵图形，在硅片上打孔，形成直径为0.1~0.3mm的圆形孔洞；

步骤三，将打孔后硅片进行双面抛光，硅片正面使用链式臭氧氧化或管式热氧氧化，在正面形成2-10nm氧化层；

步骤四，采用碱与制绒添加剂进行单面织构化；

步骤五，在硅片正背面使用PECVD沉积3-10nm本征非晶硅薄膜；

步骤六，在正面使用PECVD沉积N型掺杂非晶硅薄膜，膜厚为2-10nm；

步骤七，在背面使用PECVD沉积P型掺杂非晶硅薄膜，膜厚为2-10nm；

步骤八，使用PVD在正背面沉积导电薄膜TCO，膜层厚度为50-100nm；

步骤九，在N×N个孔洞周围印刷TCO蚀刻浆料，印刷浆料宽度0.05-0.3mm，在100-180℃条件下烘干刻蚀，将孔洞附近TCO实现绝缘隔离，再用纯水冲洗并烘干；

步骤十，丝网印刷低温浆料，依次印刷堵孔电极，背面电极及正面栅线；经低于200℃温度烘干与固化。

6.根据权利要求5所述的MWT异质结电池制备方法，其特征在于，所述硅片为N型或者P型硅片。