[发明专利]一种废水处理装置、其制备方法及处理废水的方法

权利要求书

1.一种处理废水的方法，所述方法采用一种废水处理装置对废水进行处理；

所述废水处理装置，包括：

阳极，所述阳极为纳米尖端电极；

阴极；和

电源；

其中，所述阳极包括基体，所述基体包括纳米尖端部分，所述尖端部分的曲率半径为小于200nm；

所述处理废水的方法，包括在所述废水中通入电流，对所述废水中的氯离子进行富集；

电流密度为50mA/cm²-150mA/cm²，处理时间为50分钟-160分钟；

所述废水选自氨氮废水、有机物废水或待消毒的废水。

2.根据权利要求1所述处理废水的方法，其中，电流密度为70mA/cm²，处理时间为100分钟。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述氨氮废水中的氨氮浓度为1000mg/L，所述氨氮废水中氯离子浓度为142.86mmol/L。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，废水pH小于9。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述尖端部分为纳米针尖状、纳米棒状、纳米颗粒或纳米片层的阵列形式。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述基体的尖端之上覆盖有金属层。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述基体为金属钛。

8.根据权利要求6所述的方法，其中，所述金属层为选自金属钌、铂、铱、锡中的至少一种。

9.根据权利要求1-8中任一项所述的方法，还包括参比电极。

10.权利要求9所述的方法，其中，所述阴极选自铂电极、钛电极、铜电极、铁钴镍电极、不锈钢电极或石墨电极。

11.权利要求10所述的方法，其中，所述参比电极选自Ag/AgCl电极、甘汞电极或标准氢电极。

12.根据权利要求1所述的方法，其中，所述尖端部分的曲率半径为小于25nm。

13.一种制备废水处理装置的方法，所述废水处理装置为权利要求1至12中任一项所述的方法中使用的废水处理装置，所述方法包括：

制备所述废水处理装置的阳极的步骤，所述步骤包括：

提供所述阳极的基体；

对所述基体进行刻蚀，以获得所述基体的纳米尖端部分。

14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述刻蚀之后进行磁控溅射，在所述尖端部分之上覆盖金属层。

15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述磁控溅射之后，再进行加热，将所述金属层进行氧化。

16.根据权利要求13所述的方法，其中，所述刻蚀包括：将所述基体作为阳极，铜片作为阴极，采用NH₄F和H₂C₂O₄的混合水溶液作为电解液，通入电流进行刻蚀。

17.根据权利要求16所述的方法，其中，所述刻蚀的电流为100mA-300mA，刻蚀的时间为20分钟-50分钟，刻蚀的温度为40℃-50℃，刻蚀的电解液中NH₄F浓度为1.45wt％，H₂C₂O₄浓度为1.93wt％。