[发明专利]封装结构和封装方法

说明书

本发明揭示了一种封装结构和封装方法，该封装结构包括：芯片单元，所述芯片单元的第一表面包括感应区域；上盖板，所述上盖板覆盖所述芯片单元的第一表面；支撑结构，位于所述上盖板和芯片单元之间，且所述感应区域位于所述支撑结构和所述芯片单元的第一表面围成的空腔之内，其中，所述空腔的内壁表面覆盖有吸光层。本发明通过在空腔的内壁表面覆盖有吸光层，可以吸收通过空腔侧壁的反射光线，避免该光线干扰正面感应区域。

技术领域

本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种封装结构和封装方法。

背景技术

晶圆级芯片封装(WaferLevel Chip size Packaging，WLCSP)技术是对整片晶圆进行封装测试后再切割得到单个成品芯片的技术，封装后的芯片尺寸与裸片一致。晶圆级芯片封装技术颠覆了传统封装如陶瓷无引线芯片载具(Ceramic Leadless ChipCarrier)、有机无引线芯片载具(Organic Leadless ChipCarrier)的模式，顺应了市场对微电子产品日益轻、小、短、薄化和低价化要求。经晶圆级芯片封装技术封装后的芯片达到了高度微型化，芯片成本随着芯片的减小和晶圆尺寸的增大而显著降低。晶圆级芯片封装技术是可以将IC设计、晶圆制造、封装测试、整合为一体的技术，是当前封装领域的热点和发展趋势。

现有的晶圆级封装技术中，特别是对于影像传感芯片的封装，通常会在半导体晶圆形成有器件的一面上覆盖一个上盖基板，以保护器件在封装过程中不受损伤和污染，对器件起到保护作用。

随着晶圆级芯片封装的微型化趋势，晶圆级芯片上集成的成品芯片封装体越多，单个成品芯片封装体的尺寸也就越小，对应的感应区与空腔侧壁之间的距离也就越小，光线反射对感应区的干扰也就越明显。

中国专利CN205789975U公开了一种影像传感器封装结构，其使用内侧壁呈齿条状，且高于100微米的围堰代替低的光刻胶聚合物围堰，增加了围堰的高度，透光盖板表面污染颗粒与感光区的距离增加，光线经颗粒阻挡到达感光区的影响面积变小；围堰内侧壁呈齿条状，且齿槽为弧形，可使围堰内侧壁粗糙，无法形成镜面，从而有效抑制斜射光线或感光区反射光线在围堰内侧壁的反射，减少入射到感光区的干扰光线，提高成像质量。但是其加高墙壁，特别是100um以上墙壁，使最终封装体的厚度大幅度增加，与现有微型化，轻薄化趋势相违背(一般墙壁高度30～40um)。

如何提供一种结构轻薄、且可以减少入射到感光区的干扰光线的封装结构和方法，是一个急需解决的问题。

发明内容

本发明一实施例提供一种封装结构，用于解决现有技术中无法同时满足轻薄和抗干扰的问题，包括：

一种封装结构，包括：

芯片单元，所述芯片单元的第一表面包括感应区域；

上盖板，所述上盖板覆盖所述芯片单元的第一表面；

支撑结构，位于所述上盖板和芯片单元之间，且所述感应区域位于所述支撑结构和所述芯片单元的第一表面围成的空腔之内，其中，

所述空腔的内壁表面覆盖有吸光层。

一实施例中，所述吸光层延伸至所述支撑结构和芯片单元之间。

一实施例中，所述吸光层与芯片单元的第一表面之间胶合。

一实施例中，所述吸光层为黑色的键合胶。

一实施例中，所述芯片单元还包括：

位于所述感应区域外的焊垫；

从所述芯片单元的与第一表面相对的第二表面贯穿所述芯片单元的通孔，所述通孔暴露出所述焊垫；

覆盖所述芯片单元第二表面和所述通孔侧壁表面的绝缘层；

位于所述绝缘层表面且与所述焊垫电连接的金属层；