[发明专利]浸润式光刻机曝光方法

说明书

本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种浸润式光刻机曝光方法。本申请提供一种浸润式光刻机曝光方法，所述浸润式光刻机包括曝光镜头和曝光台，所述曝光方法包括依次进行的以下步骤：上传目标晶片至所述曝光台上；所述目标晶片包括位于所述目标晶片中部的测试区，和位于所述测试区外围的外围区；使得所述曝光镜头与所述目标晶片之间充斥水层；使得所述曝光镜头通过环形曝光扫描路径，曝光所述外围区；使得所述曝光镜头曝光所述测试区。本申请提供的浸润式光刻机曝光方法，可以解决相关技术中的浸润式光刻机的曝光过程因温度波动因素，无法得出光刻机的真实光刻参数的问题。

技术领域

本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种浸润式光刻机曝光方法。

背景技术

光刻工艺是半导体集成电路制造工艺中重要的一步，光刻质量的好坏直接影响产品的合格率。如今，光刻工艺已经步入了浸润工艺的时代。

在使用浸润式光刻机进行曝光时，曝光镜头与目标晶片之间充斥有水层，利用水具有更大的折射率，以代替传统技术中的空气，从而能够促进65nm以下工艺的发展。

相关技术在使用浸润式光刻机进行曝光时，是按照特定顺序逐行扫描各个曝光单元，在曝光完成后会对测试曝光单元进行光刻参数量测，以确定光刻机的真实光刻参数。

但是，在浸润式光刻机的曝光微环境中，充斥在曝光镜头与目标晶片之间的水层，会蒸发进入该曝光微环境中，水分的蒸发会带走该在曝光镜头与目标晶片之间的热量。另外在更换晶片的空档期，该曝光镜头与目标晶片之间的温度会有所上升。这些温度波动因素，会使得浸润式光刻机对不同测试曝光单元的曝光过程有所差异，从而影响测试曝光单元的光刻参数，导致无法得出光刻机的真实光刻参数。

发明内容

本申请提供了一种浸润式光刻机曝光方法，可以解决相关技术中的浸润式光刻机的曝光过程因温度波动因素，无法得出光刻机的真实光刻参数的问题。

为了解决本申请背景技术中所述的技术问题，本申请提供一种浸润式光刻机曝光方法，所述浸润式光刻机包括曝光镜头和曝光台，所述曝光方法包括依次进行的以下步骤：

上传目标晶片至所述曝光台上；所述目标晶片包括位于所述目标晶片中部的测试区，和位于所述测试区外围的外围区；

使得所述曝光镜头与所述目标晶片之间充斥水层；

使得所述曝光镜头通过环形曝光扫描路径，曝光所述外围区；所述环形曝光扫描路径为沿着所述目标晶片的周向进行的曝光扫描路径；

使得所述曝光镜头曝光所述测试区。

可选地，在所述使得所述曝光镜头在所述外围区进行环形曝光扫描的步骤完成后，在所述使得所述曝光镜头逐行扫描所述测试区的步骤进行前，所述水层蒸发达到动态平衡。

可选地，所述使得所述曝光镜头通过环形曝光扫描路径，曝光所述外围区的步骤，包括：

使得所述曝光镜头，通过多层环形曝光扫描路径，由外至内逐层曝光所述外围区。

可选地，所述外围区包括：最外层和最内层，所述最内层与所述测试区相邻，所述最外层位于所述最内层的外侧；

所述环形曝光扫描路径包括：经过所述最外层的最外层环形曝光扫描路径，和，经过所述最内层的最内层环形曝光扫描路径。

可选地，所述使得所述曝光镜头，通过多层环形曝光扫描路径，由外至内逐层曝光所述外围区的步骤，包括：

最先使得所述曝光镜头，通过最外层环形曝光扫描路径，曝光所述外围区的最外层；

最后使得所述曝光镜头，通过最内层环形曝光扫描路径，曝光所述外围区的最内层。

可选地，所述最外层和最内层均包括多个外围曝光单元；