[发明专利]LED外延片衬底结构及其制备方法、LED芯片及其制备方法

权利要求书

1.一种LED外延片衬底结构，其特征在于，包括：

图形化衬底，包括衬底以及形成在所述衬底表面的若干个凸起的图形结构；

缓冲层，形成于所述图形化衬底的表面，且所述缓冲层包括形成于所述图形结构之间的所述衬底表面的第一部分及形成于所述图形结构表面的第二部分，其中所述第二部分的厚度自所述图形结构的底部向顶部逐渐递减。

2.根据权利要求1所述的LED外延片衬底结构，其特征在于，所述缓冲层的第一部分的厚度介于所述缓冲层的第二部分的厚度介于

3.根据权利要求1所述的LED外延片衬底结构，其特征在于，所述图形结构形成为直径自所述图形结构的底部向顶部逐渐递减的锥形结构。

4.根据权利要求1所述的LED外延片衬底结构，其特征在于，所述衬底的材料为蓝宝石、SiC、Si及ZnO中的一种。

5.根据权利要求1所述的LED外延片衬底结构，其特征在于，所述图形结构的材料为蓝宝石、SiC、Si、ZnO、SiO₂、SiN、SiO及SiN中的一种或多种。

6.根据权利要求1所述的LED外延片衬底结构，其特征在于，所述缓冲层的材料为AlN。

7.一种LED外延片衬底结构的制备方法，其特征在于，包括：

提供衬底，在所述衬底的表面形成若干个凸起的图形结构以形成图形化衬底；

在所述图形化衬底的表面形成缓冲层，所述缓冲层包括形成于所述图形化衬底的所述图形结构之间的衬底表面的第一部分，以及形成于所述图形结构的表面的第二部分，所述第二部分的厚度自所述图形结构的底部向顶部逐渐递减。

8.根据权利要求7所述的LED外延片衬底结构的制备方法，其特征在于，提供衬底，在所述衬底的表面形成若干个凸起的图形结构以形成图形化衬底，包括：

提供蓝宝石衬底，

刻蚀所述蓝宝石衬底的表面，以形成若干个凸起的图形结构。

9.根据权利要求7所述的LED外延片衬底结构的制备方法，其特征在于，提供衬底，在所述衬底的表面形成若干个凸起的图形结构以形成图形化衬底，包括：

提供蓝宝石衬底，

在所述蓝宝石衬底的表面上沉积图形材料层；

刻蚀所述图形材料层，以在所述蓝宝石衬底的表面形成若干个凸起的图形结构。

10.根据权利要求7所述的LED外延片衬底结构的制备方法，其特征在于，在所述图形化衬底的表面形成缓冲层，包括：

采用物理气相沉积技术在所述图形化衬底的表面沉积AlN层，控制所述AlN层的生长压力、溅射时的射频功率及沉积AlN的原子比，使所述AlN层的第二部分的厚度自所述图形结构的底部向顶部逐渐递减。

11.根据权利要求10所述的LED外延片衬底结构的制备方法，其特征在于，控制生长压力范围介于0.3mtorr～100mtorr，溅射的射频功率介于1000～15000W，沉积AlN的原子比为Al：N＝X：(1-X)，其中X的取值介于0.1～1。

12.根据权利要求7所述的LED外延片衬底结构的制备方法，其特征在于，在所述图形化衬底的表面形成缓冲层，包括：

采用物理气相沉积技术在所述图形化衬底的图形结构之间的衬底表面上以及所述图形结构的表面上形成厚度均匀的AlN层；

对所述图形结构的表面的AlN层进行刻蚀，使所述图形结构表面的AlN层的厚度自所述图形结构的底部向顶部逐渐递减。