[发明专利]一种隔离同时实现通讯的电路

权利要求书

1.一种隔离同时实现通讯的电路，其特征在于，包括全桥正激的驱动模块(1)、过流检测模块(2)、电源切换模块(3)、过压检测模块(4)、开关模块(5)、电源VCC、通讯模块(6)、单片机(7)，所述电源VCC连接电源切换模块(3)，所述过流检测模块(2)、电源切换模块(3)、过压检测模块(4)都与全桥正激的驱动模块(1)连接，所述过压检测模块(4)、通讯模块(6)都与开关模块(5)连接，所述过流检测模块(2)、电源切换模块(3)都与单片机(7)连接，所述电源切换模块(3)连接电源VCC，所述过压检测模块(4)连接通讯模块(6)。

2.根据权利要求1所述一种隔离同时实现通讯的电路，其特征在于，所述全桥正激的驱动模块(1)包括二极管D1、电阻R12、电阻R13、电阻R14、电阻R15、电阻R16、电阻R17、电阻RS1、三极管Q10、三极管Q11、MOS管Q2、MOS管Q3、MOS管Q4、MOS管Q5、电阻RS1、变压器T1，所述二极管D1的正极连接过流检测模块(2)，所述二极管D1的负极连接电源切换模块(3)，所述二极管D1的负极通过电阻R12连接MOS管Q2的G极，所述MOS管Q2的S极连接二极管D1的负极，所述MOS管Q2的D极连接MOS管Q4的D极，所述MOS管Q4的S极连接过流检测模块(2)，所述MOS管Q2的G极通过电阻R14连接三极管Q10的集电极，所述三极管Q10的基极连接电阻R16的一端，所述电阻R16的另一端为GPIO_ST1，所述三极管Q10的发射极连接地信号GND，所述MOS管Q4的G极连接三极管Q11的基极，所述MOS管Q4的S极通过电阻RS1连接地信号GND，所述MOS管Q5的G极连接三极管Q10的基极，所述MOS管Q4的S极连接MOS管Q5的S极，所述MOS管Q4的D极与MOS管Q5的D极之间连接变压器T1的初级线圈，所述MOS管Q5的D极连接MOS管Q3的D极，所述MOS管Q3的S极连接MOS管Q2的S极，所述MOS管Q3的S极通过电阻R13连接MOS管Q3的G极,所述MOS管Q3的G极通过电阻R15连接三极管Q11的集电极，所述三极管Q11的发射极连接地信号GND，所述三极管Q11的基极连接电阻R17的一端，所述电阻R17的另一端为GPIO_ST2，所述GPIO_ST1、GPIO_ST2都用于输入驱动波形，所述变压器T1的次级线圈连接过压检测模块(4)，所述变压器T1的次级线圈连接过压检测模块(4)。

3.根据权利要求2所述一种隔离同时实现通讯的电路，其特征在于，所述MOS管Q2、MOS管Q3都为P沟道MOS管，所述MOS管Q4、MOS管Q5都为N沟道MOS管，所述三极管Q10、三极管Q11都为NPN三极管。

4.根据权利要求1所述一种隔离同时实现通讯的电路，其特征在于，所述过流检测模块(2)包括电阻R1、电阻R2、三极管Q6，所述三极管Q6的集电极连接单片机(7)，所述三极管Q6的集电极通过电阻R1连接全桥正激的驱动模块(1)，所述三极管Q6的发射极连接地信号GND，所述三极管Q6的基极通过电阻R2连接全桥正激的驱动模块(1)，所述三极管Q6为NPN三极管。

5.根据权利要求1所述一种隔离同时实现通讯的电路，其特征在于，所述电源切换模块(3)包括电阻R9、电阻R10、电阻R11、三极管Q9、MOS管Q1，所述电阻R11的一端连接单片机(7)，所述电阻R11的另一端连接三极管Q9的基极，所述三极管Q9的发射极连接地信号GND，所述三极管Q9的集电极通过电阻R9连接电阻R10的一端，所述电阻R10的另一端连接电源VCC,所述MOS管Q1的S极连接电源VCC，所述MOS管Q1的D极连接全桥正激的驱动模块(1)，所述MOS管Q1的G极连接电阻R10的一端，所述三极管Q9为NPN三极管，所述MOS管Q1为P沟道MOS管。