[发明专利]基于磁性多层膜结构的斯格明子存储器件有效
| 申请号： | 202110442700.6 | 申请日： | 2021-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN113285017B | 公开（公告）日： | 2022-08-05 |
| 发明（设计）人： | 袁野;王伟;王元 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学 |
| 主分类号： | H01L43/02 | 分类号： | H01L43/02;H01L43/10 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 罗运红 |
| 地址： | 210003 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 磁性 多层 膜结构 明子 存储 器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于磁性多层膜结构的斯格明子存储器件，其特征在于，所述斯格明子存储器件自下而上包括：半金属层、缓冲层和铁磁层；
所述缓冲层的厚度由一边向对应的对边呈线性递增或递减，使所述缓冲层与所述铁磁层的接触面，相对于与所述半金属层的接触面的倾斜度为15°-20°；
所述铁磁层的厚度由一边向对应的对边呈线性递增或递减，使所述铁磁层与所述缓冲层的接触面，相对于所述半金属层的倾斜度为15°-20°，所述铁磁层的表面相对于所述半金属层的倾斜度为10°-15°；
所述半金属层采用的材料为Weyl半金属。
2.根据权利要求1所述的斯格明子存储器件，其特征在于，所述Weyl半金属为NbIrTe4。
3.根据权利要求1所述的斯格明子存储器件，其特征在于，所述缓冲层采用的材料为钽。
4.根据权利要求1所述的斯格明子存储器件，其特征在于，所述铁磁层材料采用的材料为铁钴硼。
5.根据权利要求1所述的斯格明子存储器件，其特征在于，所述铁磁层厚度最厚的位置为3nm，所述铁磁层厚度最薄的位置为1nm。
6.根据权利要求1所述的斯格明子存储器件，其特征在于，所述缓冲层厚度最厚的位置为5nm，所述缓冲层厚度最薄的位置为3nm。
7.根据权利要求1所述的斯格明子存储器件，其特征在于，所述半金属层厚度最厚的位置为6nm，所述半金属层厚度最薄的位置为4nm。
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