[发明专利]半导体结构及其制作方法

说明书

本发明实施例提供一种半导体结构及其制作方法，包括：基底；第一器件，位于基底上；第一接合柱，位于第一器件外周的基底上，且与基底电连接；引线，引线的一端与第一器件电连接形成第一键合点，引线的另一端与第一接合柱电连接形成第二键合点，在基底指向第一器件的方向上，第二键合点不低于第一键合点。本发明实施例有利于降低第一键合点和第二键合点开裂的的概率，以提高半导体结构的稳定性。

技术领域

本发明实施例涉及半导体领域，特别涉及一种半导体结构及其制作方法。

背景技术

随着技术进步，半导体封装的集成度和整合度逐步增强，电子设备向微型化、高速、高可靠、低成本和低功耗的方向发展。半导体封装中的连接通常是通过引线键合实现的。引线键合(Wire Bonding)是用金属丝将芯片的I/O端与对应的封装引脚或基板上焊盘互连。固相焊接过程，采用加热、加压和超声波能量，破坏表面氧化层和污染，产生塑性变形，界面亲密接触发生电子共享和原子扩散形成焊点。

发明内容

本发明实施例解决的技术问题为提供一种半导体结构及其制作方法，有利于降低第一键合点和第二键合点开裂的的概率，以提高半导体结构的稳定性。

为解决上述问题，本发明实施例提供一种半导体结构，包括：基底；第一器件，位于所述基底上；第一接合柱，位于所述第一器件外周的所述基底上，且与所述基底电连接；引线，所述引线的一端与所述第一器件电连接形成第一键合点，所述引线的另一端与所述第一接合柱电连接形成第二键合点，在所述基底指向所述第一器件的方向上，所述第二键合点不低于所述第一键合点。

另外，所述基底具有暴露在所述基底表面的接合垫，所述第一接合柱与所述接合垫电连接。

另外，所述第一器件在远离所述基底的表面上设有暴露的焊垫，所述焊垫与所述引线键合形成所述第一键合点。

另外，所述第一键合点包括楔形键合点，靠近所述第一键合点的部分所述引线沿平行于所述焊垫顶面的方向上延伸，所述第一接合柱顶面于所述焊垫底顶面齐平。

另外，所述第一键合点包括球形键合点，靠近所述球形键合点的部分所述引线沿垂直于所述焊垫顶面的方向上延伸，所述第一接合柱顶面高于所述焊垫底顶面。

另外，所述引线包括引线颈部，所述引线颈部位于所述引线沿所述第一键合点向上延伸的折弯处，所述第一接合柱和所述第一器件之间具间隔，所述引线颈部位于所述间隔中。

另外，半导体结构还包括：塑封层，所述塑封层填充所述间隔，且覆盖所述引线颈部。

另外，半导体结构还包括：第二器件，所述第二器件位于所述第一器件远离所述基底的一侧；第二接合柱，所述第二接合柱位于所述第二器件外周的所述基底上，且与所述基底电连接，与所述第一接合柱相互间隔；接合线，所述接合线的一端与所述第二接合柱电连接，所述接合线的另一端与所述第二器件电连接。

另外，所述第一接合柱、所述引线和所述第一器件围成的区域在所述基底上的正投影为第一投影，所述第二器件在所述基底上的正投影为第二投影，所述第二投影覆盖所述第一投影，且所述第二接合柱在所述基底上的正投影为第三投影，所述第三投影位于所述第一投影之外；半导体结构还包括：密封层，所述密封层覆盖所述第二器件、所述第二接合柱以及所述接合线。

另外，所述第二器件包括多个芯片堆叠的封装体，且多个所述芯片沿所述基底指向所述第一器件的方向依次堆叠设置。

另外，所述芯片具有暴露在所述芯片远离所述基底表面的焊盘，不同所述芯片的至少一个所述焊盘与同一所述第二接合柱通过所述接合线电连接。

另外，所述第一接合柱远离所述基底的一侧具有凹槽，所述凹槽内填充满接合剂；所述第二键合点在所述基底上的正投影覆盖所述凹槽在所述基底上的正投影。