[发明专利]一种控制方法、原边控制电路、反激式变换器及电子设备

权利要求书

1.一种控制方法，其特征在于，应用于反激式变换器的原边控制电路，所述原边控制电路包括一串接于原边MOS管源极的采样电阻，所述控制方法包括：

获取所述反激式变换器中副边整流管信号的占空比；

获取所述反激式变换器中变压器的匝比；

根据所述采样电阻的电阻值、所述副边整流管信号的占空比、所述变压器的匝比和所述反激式变换器的目标输出电流，获取一参考电压信号；

获取一电压采样信号，所述电压采样信号为所述采样电阻两端的电压信号；

当所述电压采样信号的电压值大于所述参考电压信号的电压值时，将原边控制信号设置为低电平以控制所述原边MOS管断开；

其中获取所述电压采样信号包括：根据所述副边整流管信号的占空比获取一调整区间；获取一可调系数k的取值，以使所述调整区间内的任一占空比d_i均可以用来模拟，所述可调系数的取值由所述副边整流管信号的占空比决定；利用第二电压信号生成电路生成一电压值为V_LPS_OCP＝k×(1-d)×m的第二电压信号，该第二电压信号即为所述参考电压信号，其中，d为所述副边整流管信号的占空比，m为所述第二电压信号生成电路的增益且其取值为m＝Rcs×(2×Iout/Nps)，Rcs为所述采样电阻的电阻值，Iout为所述目标输出电流，Nps为所述变压器原边绕组与副边绕组的匝比。

2.根据权利要求1所述的控制方法，其特征在于，获取所述反激式变换器中副边整流管信号的占空比的一种实现方法包括：

获取所述原边MOS管的导通时间和副边整流管的导通时间；

根据所述原边MOS管的导通时间和副边整流管的导通时间，获取所述副边整流管信号的占空比。

3.根据权利要求1所述的控制方法，其特征在于，所述原边控制电路还包括一辅助绕组，获取所述反激式变换器中副边整流管信号的占空比的一种实现方法包括：

在所述原边控制信号由高电平转换为低电平时，将一占空比信号设置为高电平；

在辅助绕组两端的电压为零时，将所述占空比信号设置为低电平；

获取所述占空比信号的占空比作为所述副边整流管信号的占空比。

4.根据权利要求1所述的控制方法，其特征在于，所述控制方法还包括：当所述原边MOS管的漏极电压震荡至一阈值电压时，将所述原边控制信号设置为高电平以控制所述原边MOS管导通。

5.一种原边控制电路，其特征在于：所述原边控制电路采用权利要求1-4任一项所述的控制方法对反激式变换器的原边电路进行控制。

6.一种反激式变换器，其特征在于，所述反激式变换器包括：

原边电路；

副边电路；

原边控制电路，采用权利要求1-4任一项所述的控制方法对所述反激式变换器的原边电路进行控制；

副边控制电路，用于对所述反激式变换器的副边电路进行控制。

7.一种电子设备，其特征在于：所述电子设备包括权利要求6所述的反激式变换器。