[发明专利]一种晶圆冲洗甩干机及清洗甩干方法在审
| 申请号: | 202110442233.7 | 申请日: | 2021-04-23 |
| 公开(公告)号: | CN114464548A | 公开(公告)日: | 2022-05-10 |
| 发明(设计)人: | 涂辉 | 申请(专利权)人: | 谷微半导体科技(江苏)有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02;B08B3/02 |
| 代理公司: | 上海微策知识产权代理事务所(普通合伙) 31333 | 代理人: | 张静 |
| 地址: | 226000 江苏省南通市开发区*** | 国省代码: | 江苏;32 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 冲洗 甩干机 清洗 方法 | ||
本发明属于晶圆加工设备技术领域,具体涉及一种晶圆冲洗甩干机及清洗甩干方法。本发明提供了一种晶圆冲洗甩干机,包括至少一个功能模块和结构组件所述功能模块包括腔体、腔门、所述腔体和腔门相对设置,所述腔体的表面设置有伺服电机、喷水装置、加热装置、静电消除器、电磁阀;采用模块化设计,每个功能模块包含所有功能,结构简单、设计合理、易于生产,每个模块单独控制,独立运行,让其能够根据用户对于腔体个数的需要对其进行组装,形成单腔或者多腔结构,降低了改设备的制作难度和投入成本,让用户有更多的选择空间,从而让其能够更好的满足客户的需要。
技术领域
本发明属于晶圆加工设备技术领域,具体涉及一种晶圆冲洗甩干机。
背景技术
晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片,其原始材料是硅。高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种,然后慢慢拉出,形成圆柱形的单晶硅。硅晶棒在经过研磨,抛光,切片后,形成硅晶圆片,也就是晶圆。随着第三代半导体制程的不断发展,晶片清洗技术也在逐步完善。晶片在研磨、抛光、外延等工艺过程中,难以避免的受到环境、人员、设备、工具等影响而引入污染物。其中,污染物可大致分类为颗粒、有机物、金属污染物、氧化层。在半导体晶片的制造过程中,特别是外延生长过程前后,如晶片表面有污染物残留,会直接导致外延片失效,或者器件加工失效,因此在晶片进行外延前,为避免污染物的影响必须对晶片进行清洗。半导体晶片清洗方法有湿法清洗、干法清洗及干湿结合清洗,其中又以湿法清洗为主流清洗方法。该清洗工艺完成后需要对晶圆进行干燥,晶圆甩干机用于将潮湿的晶圆通过旋转及干燥使晶圆表面干燥。为了提高干燥洁净效果,业内采用往密封的甩干机筒体内通入洁净氮气,使设备具有强制干燥功能,晶圆在甩干的同时,附加氮气干燥作用,彻底去除晶圆表面的尘粒,让晶圆表面干燥。
现有的晶圆清洗甩干设备一般存在以下问题:
(1)现有的晶圆清洗甩干设备通常为单腔或者双腔,无论是单腔还是双腔的设备其支架和外壳需要分别设计和生产。设计生产成本加大。且在后期使用的过程中,用户无法根据实际的需要选择单腔或者双腔,用户选用不灵活,买了双腔的想变成单腔的变不了。买了双腔的想变成单腔的同样变不了,从而导致企业的生产设备的投入增加;与此同时,现有的双腔设备在使用过程中其大多都是需要同步工作的,然而在实际的使用过程中,可能只需要使用一个腔体,这就会导致资源的浪费,因而现有的晶圆冲洗甩干设备有待于提高。
(2)晶圆清洗甩干过程需要对甩干结构进行精准的控制,公开号为CN109950185A的发明专利提供了一种晶圆甩干设备,包括定位装置,所述定位装置还包括编码器,所述编码器用于监测电机的转速,且与直线驱动件电连接。但是外置编码器容易受到外界环境干扰,油污、电磁场等因素都会影响外置编码器的工作精度;而且,编码器安装需要的支架、配套应用的齿盘、安装齿盘的涨套等都是非标定制件,使用非标定制件不仅生产成本比较高,而且对工人的技术水平要求也会更高,增加人力成本和维修难度。
(3)加工后的晶圆通常需要对其表面清洗,当前大多数都是通过晶圆冲洗甩干设备对其进行表面处理。现有的晶圆冲洗甩干设备的清洗后的晶圆盒需要人工拿出,人手伸入腔体将晶圆盒向外拉。再用双手托出,其整个过程不仅工作效率较低,会浪费大量的人力和时间,严重的影响其生产效率,同时还会对晶圆表面造成二次污染,影响其加工质量,因而现有的晶圆冲洗甩干设备还有待于改进。
(4)晶圆清洗甩干设备的筒体的密封性尤为重要,密封性的高低直接影响到晶圆的干燥效果和最终的产品质量。现有的晶圆冲洗甩干设备的门处有个密封圈,关闭门后要通入压缩空气将密封条涨大锁住门。保证高速清洗时的安全性。压缩空气现在的进入方式是从门的固定块经过门轴进入到门板,再由门板进入到密封圈。这个设计结构比较复杂,经过转动的门轴,既要密封不漏气还要让门能够转动。技术难度比较高。成本比较大,维修保养比较困难。一旦门轴处漏气,密封压力低于安全密封压力。容易产生事故。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于谷微半导体科技(江苏)有限公司,未经谷微半导体科技(江苏)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110442233.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:固态成像装置
- 下一篇:一种基于地震数据的高斯射线追踪扫描方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





