[发明专利]基于二次电压注入的I型三电平中点电位平衡控制方法

权利要求书

1.一种基于二次电压注入的I型三电平中点电位平衡控制方法，其特征在于：包括以下步骤：

S1，采集待测电路中第一电容的电压、第二电容的电压、参考电压和电流参考值，将所述第一电容的电压与所述第二电容的电压相加，获得电压和，将所述电压和与所述参考电压的差值输入PI调节器，获得第一控制信号，将所述第一控制信号通过第一反park变换获得三相有功电流控制量；

S2，将所述第一电容的电压与所述第二电容的电压做差，获得电压差，将所述电压差与0值电压的差值输入所述PI调节器，获得第二控制信号，将所述第二控制信号通过第二反park变换形成二次电压，获得三相偏差电流控制量；

S3，对将所述三相有功电流控制量和所述三相偏差电流控制量求和，获得反馈量，将所述反馈量与所述电流参考值的差值输入PR调节器，获得总调制波控制量，基于所述总调制波控制量控制待测电路中绝缘栅双极型晶体管IGBT的导通与关断；

所述S1中，所述PI调节器的输入包括两相静止坐标系中的q轴和d轴，其中所述q轴的输入为0，d轴的输入为所述电压和与所述参考电压的差值，所述第一控制信号为d轴坐标值；

所述S2中，第二反park变换与所述第一反park变换的变换矩阵相同，所述PI调节器的输入包括两相静止坐标系中的q轴和d轴，其中所述q轴输入为所述电压差与0值电压的差值，d轴的输入为0，所述第二控制信号为q轴坐标值，坐标旋转频率为200pai。

2.根据权利要求1所述的基于二次电压注入的I型三电平中点电位平衡控制方法，其特征在于：所述待测电路包括但不限于控制部分，具体为：总母线电压外环控制、中点电位控制环和电流内环控制。

3.根据权利要求1所述的基于二次电压注入的I型三电平中点电位平衡控制方法，其特征在于：所述待测电路还包括三相桥臂，其中每相桥臂包括4个IGBT。

4.根据权利要求1所述的基于二次电压注入的I型三电平中点电位平衡控制方法，其特征在于：所述S1中的第一反park变换具体方法为：

S1.1，从原始的两相旋转坐标系变换到两相静止坐标系，具体的变换矩阵C_dq-αβ为：

其中dq代表所述两相旋转坐标系，αβ代表所述两相静止坐标系，dq-αβ代表由两相旋转坐标系变换到两相静止坐标系，ω代表旋转坐标角频率；

S1.2，从所述两相静止坐标系变换到三相静止坐标系，具体的变换矩阵C_αβ-abc为：

其中abc代表所述三相静止坐标系，αβ-abc代表由两相静止坐标系变换到三相静止坐标系。

5.根据权利要求1所述的基于二次电压注入的I型三电平中点电位平衡控制方法，其特征在于：所述S2中的二次电压的形成用于抑制中点电位失衡。