[发明专利]半导体结构及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底中形成有浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构于所述基底内隔离出若干个间隔排布的有源区；

于所述基底中形成第一沟槽，所述第一沟槽暴露出部分所述有源区；

于所述第一沟槽中形成第一导电结构，所述第一导电结构填满所述第一沟槽；

于所述基底上形成第一介质层，所述第一介质层覆盖所述基底的上表面及所述第一导电结构的上表面；

于所述第一介质层中形成第二沟槽，所述第二沟槽暴露出所述第一导电结构；所述第二沟槽的顶部宽度大于所述第一沟槽的顶部宽度；

于所述第二沟槽中形成第二导电结构；

其中，所述第一导电结构和所述第二导电结构共同构成位线接触结构，所述第二沟槽的底部宽度等于所述第一沟槽的顶部宽度；所述基底包括衬底及位于所述衬底上表面的第二介质层；

所述于所述基底中形成第一沟槽的步骤包括：

于所述第二介质层上形成掩膜层；

于所述第二介质层上形成第二图形化掩膜层，所述第二图形化掩膜层定义出所述第一沟槽的形状及位置；

所述于所述第二介质层上形成掩膜层的步骤包括：

于所述第二介质层上形成第一旋涂硬掩膜层；

于所述第一旋涂硬掩膜层的表面形成第一氧化硅层；

所述掩膜层包括自第二介质层依次叠置的第一旋涂硬掩膜层及第一氧化硅层，所述第一介质层包括自第二介质层依次叠置的第二旋涂硬掩膜层及第二氧化硅层，所述第二介质层包括在衬底上形成的氮氧化硅层；基于所述第二图形化掩膜层对所述掩膜层进行图形化处理，以得到第三图形化掩膜层之后还包括：

去除所述第二图形化掩膜层的步骤；

基于所述第三图形化掩膜层对所述第二介质层进行图形化处理，以得到第一沟槽之后还包括：

去除所述第三图形化掩膜层的步骤。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第二沟槽为倒梯形沟槽。

3.根据权利要求1至2中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述于所述第一介质层中形成第二沟槽的步骤还包括：

于所述第一介质层上形成第一图形化掩膜层，所述第一图形化掩膜层定义出所述第二沟槽的形状及位置；

基于所述第一图形化掩膜层对所述第一介质层进行图形化处理，以形成所述第二沟槽；

去除所述第一图形化掩膜层。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述基于所述第一图形化掩膜层对所述第一介质层进行图形化处理，以形成所述第二沟槽的工艺气体包括：

二氟甲烷、六氟丁二烯、氧气和氮气。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第二导电结构的上表面与所述第一介质层的上表面相齐平。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一导电结构和所述第二导电结构至少包括多晶硅结构、钨导电结构或氮化钛结构。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述于所述基底中形成第一沟槽的步骤还包括：

基于所述第二图形化掩膜层对所述第二介质层进行图形化处理，以得到第一沟槽；

其中，所述第一沟槽贯穿所述第二介质层并延伸至所述衬底内。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，

基于所述第二图形化掩膜层对所述第二介质层进行图形化处理，以得到第一沟槽的步骤包括：

基于所述第二图形化掩膜层对所述掩膜层进行图形化处理，以得到第三图形化掩膜层；

基于所述第三图形化掩膜层对所述第二介质层进行图形化处理，以得到第一沟槽。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，基于所述第三图形化掩膜层对所述第二介质层进行图形化处理，以得到第一沟槽的工艺气体包括:

六氟丁二烯、氧气和氩气。

10.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第二介质层还包括位于衬底和氮氧化硅层之间的第三氧化硅层。