[发明专利]存储器

说明书

本公开实施例公开了一种存储器，包括：第一栅叠层结构，位于衬底表面，包括依次交替层叠设置的第一绝缘层和第一栅极层；第二栅叠层结构，位于第一栅叠层结构表面，包括依次交替层叠设置的第二绝缘层和第二栅极层；沟道结构，贯穿第一栅叠层结构和第二栅叠层结构；第一电荷阻挡结构，位于沟道结构和第一栅极层之间；第二电荷阻挡结构，贯穿第一栅叠层结构和第二栅叠层结构；其中，位于第一栅叠层结构中的第二电荷阻挡结构，位于沟道结构和第一电荷阻挡结构之间，且位于沟道结构和第一绝缘层之间；位于第二栅叠层结构中的第二电荷阻挡结构，位于沟道结构和第二栅极层之间，且位于沟道结构和第二绝缘层之间。

本申请是申请日为2020年06月08日、申请号为202010514483.2、发明名称为“存储器制作方法及存储器”的中国专利申请的分案申请。

技术领域

本公开实施例涉及半导体技术领域，特别涉及一种存储器。

背景技术

在集成电路产业中，通过形成贯穿堆叠结构的通孔，然后在通孔底部形成外延层、在通孔中形成与外延层相连的存储串的方式制备存储器，有利于提高存储器的集成度。

随着对存储器存储容量的需求的不断增大，在衬底上形成的堆叠结构的层数不断增大，使得通孔的高度增加，提高了形成存储串的难度，降低了存储串的质量，对存储器的性能产生不利影响。

发明内容

本公开实施例提供一种存储器制作方法及存储器。

根据本公开实施例的第一方面，提供一种存储器制作方法，包括：

在衬底表面形成第一堆叠结构；其中，所述第一堆叠结构包括依次层叠设置的第一绝缘层和第一牺牲层；

形成贯穿所述第一堆叠结构的至少一个第一通孔；

在所述第一通孔侧壁形成第一电荷阻挡结构；

在形成所述第一电荷阻挡结构后，在所述第一堆叠结构表面形成第二堆叠结构；其中，所述第二堆叠结构包括依次交替层叠设置的所述第二绝缘层和所述第二牺牲层；

形成贯穿所述第二堆叠结构的至少一个第二通孔；其中，所述第二通孔与所述第一通孔连通；

形成覆盖所述第一通孔侧壁和所述第二通孔侧壁的第二电荷阻挡结构；其中，所述第二电荷阻挡结构覆盖所述第一电荷阻挡结构。

在一些实施例中，所述在所述第一通孔的侧壁形成第一电荷阻挡结构，包括：

对所述第一通孔侧壁所述第一牺牲层进行氧化处理，以从所述第一通孔侧壁沿着所述第一牺牲层的方向，氧化部分所述第一牺牲层形成所述第一电荷阻挡结构；其中，所述第一电荷阻挡结构的长度小于未被氧化的所述第一牺牲层的长度。

在一些实施例中，所述形成覆盖所述第一通孔侧壁和所述第二通孔侧壁的第二电荷阻挡结构，包括：

形成覆盖所述第一通孔侧壁和所述第二通孔侧壁的第一介质层；

对所述第一介质层进行氧化处理，形成所述第二电荷阻挡结构；其中，所述第二电荷阻挡结构与所述第一绝缘层接触。

在一些实施例中，所述方法还包括：

在对所述第一介质层进行氧化处理的同时，对所述第二堆叠结构中与所述第一介质层接触的所述第二牺牲层进行氧化处理，以从所述第一介质层沿着所述第二牺牲层的方向，氧化部分所述第二牺牲层形成所述第二电荷阻挡结构；其中，所述第二堆叠结构中所述第二电荷阻挡结构的长度，小于所述第二堆叠结构中未被氧化的所述第二牺牲层的长度。

在一些实施例中，所述在所述第一通孔侧壁形成第一电荷阻挡结构，包括：

形成覆盖所述第一通孔侧壁的第二介质层；